[发明专利]浅沟槽隔离结构的制造方法有效
| 申请号： | 200810205387.9 | 申请日： | 2008-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101770974A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;杜珊珊;黄怡;赵林林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制造 方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有沟槽；
对所述沟槽顶部边缘执行氧气等离子体处理工艺，在所述氧气等离子体 处理工艺中的氧气等离子体中还包括有含氟气体的等离子体，以提高所述氧 气等离子体的活性并对所述沟槽顶部边缘进行刻蚀，以助于所述沟槽顶部边 缘的圆弧化；
在所述氧气等离子体处理工艺之后，对所述沟槽执行清洗工艺，去除所 述沟槽顶部边缘的氧化物层；
执行完所述清洗工艺之后在所述沟槽中填充介质材料。
2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：
所述含氟气体包括CF4、C2F6、SF6、NF3中的一种或组合。
3.如权利要求1或2所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于： 所述氧气等离子体处理工艺为远程等离子体处理工艺。
4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：
还包括在所述清洗工艺之前，对所述沟槽侧壁执行去除刻蚀聚合物的步 骤。
5.如权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：
对所述沟槽顶部边缘执行氧气等离子体处理工艺在去除刻蚀聚合物的步 骤之后执行。
6.如权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：
对所述沟槽顶部边缘执行氧气等离子体处理工艺在去除刻蚀聚合物的步 骤之前执行。
7.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：在所 述半导体衬底中形成沟槽的步骤如下：
在所述半导体衬底上依次形成垫氧化硅层和硬掩膜层；
在所述硬掩膜层中形成定义沟槽的图案，所述图案底部露出所述的垫氧 化硅层；
刻蚀去除所述沟槽的图案底部的垫氧化硅层，并继续刻蚀所述半导体衬 底，在所述半导体衬底中形成沟槽。
8.如权利要求7所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：
在所述对沟槽顶部边缘执行氧化等离子体处理工艺之前，去除所述沟槽 顶部边缘的部分垫氧化硅层，使所述垫氧化硅层朝向所述硬掩膜层底部收缩， 以露出所述沟槽顶部边缘的半导体衬底的部分表面。
9.如权利要求8所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：
去除所述部分垫氧化硅层的方法为氢氟酸溶液刻蚀工艺。
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