[发明专利]电荷泵

权利要求书

1.一种电荷泵，其特征在于，包括：

第一升压电路，用于实现对电源电压的升压；

耦接于第一升压电路的输出MOS管，其包括：第一输入端、第一输出 端、衬底端以及第一控制端，所述衬底端电压为第一输入端或第一输出端中 较高的电压，所述控制端接收控制信号，第一输入端连接于第一升压电路的 输出，第一输出端作为电荷泵的输出；

所述输出MOS管为NMOS管。

2.如权利要求1所述的电荷泵，其特征在于，所述输出MOS管的衬底端 电压通过第一偏置电路的控制而为第一输入端或第一输出端中较高的电压， 所述第一偏置电路包括：连接于所述输出MOS管的第一输入端的第一偏置 输入端，连接于所述输出MOS管的第一输出端的第二偏置输入端，以及连 接于所述输出MOS管的衬底端的偏置输出端。

3.如权利要求2所述的电荷泵，其特征在于，所述偏置电路包括：第一偏 置管和第二偏置管，其中，

所述第一偏置管的源极作为所述第一偏置电路的第一偏置输入端，与所 述输出MOS管的源极相连，衬底与漏极相连于第一偏置电路的偏置输出 端，栅极与第二偏置管的漏极相连；

所述第二偏置管的源极和衬底相连于所述第一偏置电路的偏置输出端， 栅极与第一偏置管的源极相连，漏极作为所述第一偏置电路的第二偏置输入 端，与所述输出MOS管的漏极相连。

4.如权利要求3所述的电荷泵，其特征在于，所述第一偏置管和第二偏置 管为PMOS管。

5.如权利要求1所述的电荷泵，其特征在于，所述第一升压电路包括：第 一电压提供电路、第一充电电容、第二电压提供电路，其中所述第一电压提 供电路对第一充电电容的第一端提供第一电压，所述第二电压提供电路对第 一充电电容的第二端提供第二电压。

6.如权利要求5所述的电荷泵，其特征在于，所述第一电压提供电路包 括：第一PMOS管和第一NMOS管，其中，所述第一PMOS管的源极接于电 源电压VDD、栅极接收第一输入信号、漏极与第一NMOS管的漏极相连于 第一充电点；所述第一NMOS管的栅极接收第二输入信号、源极接于第二电 压VSS；所述第一电容的第一端接于第一充电点。

7.如权利要求5所述的电荷泵，其特征在于，所述第二电压提供电路包 括：第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极接于电源电压VDD、栅极接 收第二控制信号、漏极与第二充电点相连。

8.如权利要求5所述的电荷泵，其特征在于，所述第二电压提供电路包 括：第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极接于电源电压VDD、栅极接 收第二控制信号、漏极与第二充电点相连、衬底电压为漏极电压或源极电压 中较高的电压。

9.如权利要求8所述的电荷泵，其特征在于，所述第二PMOS管的衬底电 压通过第二偏置电路的控制而为源极电压或漏极电压中较高的电压，所述第 二偏置电路包括：连接于所述第二PMOS管的源极的第一偏置输入端，连接 于所述第二POS管的漏极的第二偏置输入端，以及连接于所述第二PMOS管 的衬底端的偏置输出端。

10.如权利要求9所述的电荷泵，其特征在于，所述第二偏置电路包括：第 一偏置管和第二偏置管，其中，

所述第一偏置管的源极作为所述第二偏置电路的第一偏置输入端，与所 述第二PMOS管的源极相连，衬底与漏极相连于第二偏置电路的偏置输出 端，栅极与第二偏置管的漏极相连；

所述第二偏置管的源极和衬底相连于所述第一偏置电路的偏置输出端， 栅极与第一偏置管的源极相连，漏极作为所述第一偏置电路的第二偏置输入 端，与所述第二PMOS管的漏极相连。

11.如权利要求10所述的电荷泵，其特征在于，所述第一偏置管和第二偏置 管为PMOS管。