[发明专利]通孔结构形成方法、半导体装置、金属互连结构和掩模板

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体器件区和所述半导体器件区之外的虚拟图案区；其中，

所述半导体器件区包括：

有源区，

所述有源区上的栅极，

覆盖于所述虚拟有源区和虚拟栅极之上的介质层，

在所述介质层中的分别位于所述有源区和栅极之上的通孔；

所述虚拟图案区包括：

虚拟有源区，

所述虚拟有源区上的虚拟栅极，

所述介质层也覆盖于所述虚拟有源区和虚拟栅极之上，

所述介质层中的分别位于所述虚拟有源区和虚拟栅极之上的赝通孔；

其中，所述有源区和虚拟有源区在同一工艺中形成，所述栅极和虚拟栅极也在同一工艺中形成，所述赝通孔与所述通孔通过同一刻蚀工艺形成于所述介质层中。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述赝通孔和通孔的形状相同、尺寸也相同。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述虚拟有源区和/或虚拟栅极上具有至少两个赝通孔。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述至少两个赝通孔均匀排列、相互间距相等。

5.一种金属互连结构，其特征在于，包括：金属互连区和所述金属互连区之外的虚拟图案区；其中，

所述金属互连区包括：

金属间介质层，

镶嵌在所述金属间介质层中的金属互连层，

覆盖于所述金属间介质层和金属互连层之上的介质层，

所述介质层中的、位于所述金属互连层之上的通孔；

所述虚拟图案区包括：

虚拟金属间介质层，

镶嵌在所述虚拟金属间介质层中的虚拟金属互连层，

所述介质层也覆盖于所述虚拟金属间介质层和虚拟金属互连层之上，

所述介质层中的位于所述虚拟金属互连层之上的赝通孔；其中，

所述金属间介质层和虚拟金属间介质层在同一工艺中形成，所述金属互连层和虚拟金属互连层也在同一工艺中形成，所述赝通孔与所述通孔通过同一刻蚀工艺形成于所述介质层中。

6.根据权利要求5所述的金属互连结构，其特征在于，所述通孔和赝通孔的形状相同、尺寸也相同。

7.根据权利要求5或6所述的金属互连结构，其特征在于，所述虚拟金属互连层之上具有至少两个赝通孔。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述至少两个赝通孔均匀排列、相互间距相等。

9.一种通孔结构的形成方法，所述通孔结构包括通孔和赝通孔，其特征在于，

提供半导体衬底，所述半导体衬底中包括功能区和所述功能区之外的虚拟功能区；

在所述功能区上和虚拟功能区上形成介质层；

在所述介质层上形成图案化的光刻胶层；

以所述图案化的光刻胶层为掩膜在所述介质层中同时形成通孔和赝通孔；

其中，所述通孔位于所述功能区之上，所述赝通孔位于所述虚拟功能区之上。

10.根据权利要求9所述的通孔结构的形成方法，其特征在于，所述功能区包括有源区和所述有源区上的栅极，所述虚拟功能区包括虚拟有源区和所述虚拟有源区上的虚拟栅极。

11.根据权利要求9所述的通孔结构的形成方法，其特征在于，所述功能区包括金属互连层，所述虚拟功能区包括虚拟金属互连层。

12.一种掩模板，如权利要求9至11任一项所述的通孔结构的形成方法中用于形成图案化的光刻胶层，其特征在于，具有通孔的图案和赝通孔的图案。