[发明专利]半导体芯片结构

权利要求书

1.一种主动式半导体组件，包括半导体芯片结构和封装基板，其特征在于： 该半导体芯片结构在芯片的绝缘层、电极顶面披覆有顶面防护层，顶面防护层 还具有覆设于芯片侧边壁面的侧面防护层，且绝缘层及电极的顶面防护层顶 面形成有复数的放大导电垫，各放大导电垫的面积大于电极，并分别通过贯穿 顶面防护层的连接部与对应的电极形成电气连接，进而形成具有顶面防护层及 放大导电垫的半导体芯片结构；无需使用焊线、焊球，放大导电垫藉由导电材质 直接连结、导通与固定于封装基板的印刷电路上。

2.一种主动式半导体组件，包括半导体芯片结构和电路基板，其特征在于： 该半导体芯片结构在芯片的绝缘层、电极顶面披覆有顶面防护层，顶面防护层 还具有覆设于芯片侧边壁面的侧面防护层，且绝缘层及电极的顶面防护层顶 面形成有复数的放大导电垫，各放大导电垫的面积大于电极，并分别通过贯穿 顶面防护层的连接部与对应的电极形成电气连接，进而形成具有顶面防护层及 放大导电垫的半导体芯片结构；无需使用焊线、焊球，放大导电垫藉由导电材质 直接连结、导通与固定于电路基板的印刷电路上。

3.如权利要求1或2所述的主动式半导体组件，其特征在于：该顶面防护层 与侧面防护层由不导电、防水、或热传导性佳的材料所制成。

4.如权利要求1或2所述的主动式半导体组件，其特征在于：该电极为栅极 电极、漏极电极或源极电极。

5.如权利要求1或2所述的主动式半导体组件，其特征在于：各放大导电垫 面积及相互间距离，依芯片面积大小及电性桥接容许值内设计。

6.如权利要求1或2所述的主动式半导体组件，其特征在于：各放大导电垫 延伸至芯片的侧边壁面。

7.如权利要求1或2所述的主动式半导体组件，其特征在于：该放大导电垫 选自金、银、铜、铝、锡、铬、白金、钼、合金导电金属材料，供对应的电极形成 电气连接。