[发明专利]一种BaCeO3体系高温质子导体薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200810207365.6 | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101445395A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 何亮 | 申请（专利权）人： | 上海工程技术大学 |
| 主分类号： | C04B41/85 | 分类号： | C04B41/85 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 200336*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 baceo sub 体系 高温 质子 导体 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种BaCeO3体系高温质子导体薄膜的制备方法，其特征在于：它采用射频溅射法将BaCe1-XYXO3-α粉体溅射到多孔陶瓷基体上获得厚度在1μm-100μm厚度的高温质子导体导电薄膜。
2、一种BaCeO3体系高温质子导体薄膜的方法，其特征在于：所述的BaCe1-XYXO3-α粉体由BaCO3、CeO2、Y2O3三种原料通过固相反应合成；首先将三种原料BaCO3、CeO2、Y2O3按摩尔比1:1-X:X进行配比，其中0.02<X<0.3；并将混合料在常温下进行湿法球磨、获得平均粒径在400目以下的粉体，而后将混合粉体干燥后放入高温炉中在1000-1500℃焙烧10-20h即制得可用于溅射制膜用的BaCe1-XYXO3-α粉体；其后将制备得到BaCe1-XYXO3-α粉体压制成溅射仪所适宜的片状后，在1300-1600℃烧结制得符合溅射仪要求的BaCe1-XYXO3-α陶瓷靶材。
3、一种BaCeO3体系高温质子导体薄膜的方法，其特征在于：溅射时所用溅射仪的功率为50～200W，溅射时间为30min～10h。
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