[发明专利]半导体硅片清洗装置及其清洗方法

权利要求书

1.一种半导体硅片清洗装置，包括腔体，所述腔体底部连接有一旋转平台，所述旋转平台中嵌设有超声波发生装置，其特征在于，所述旋转平台上对应于超声波发生装置上方的位置设有若干用于支撑并固定硅片的支架，所述超声波发生装置设有若干出水孔，所述腔体顶部设有若干喷嘴。

2.如权利要求1所述的半导体硅片清洗装置，其特征在于：所述旋转平台直径为20～50英寸。

3.如权利要求1或2所述的半导体硅片清洗装置，其特征在于：所述旋转平台上放置2～6枚硅片，所述硅片尺寸为4～12英寸。

4.如权利要求1所述的半导体硅片清洗装置，其特征在于：所述超声波发生装置工作频率为0.25～2兆赫兹，投射到硅片背面的功率为0.5～5瓦特/平方厘米。

5.如权利要求1所述的半导体硅片清洗装置，其特征在于：所述出水孔直径为1/4～1/2英寸。

6.一种采用权利要求1所述半导体硅片清洗装置的清洗方法，其特征在于，包括下列步骤：将硅片放在支架上并固定；启动旋转平台，带动硅片围绕所述旋转平台中心旋转；腔体顶部的喷嘴喷洒液体，超声波发生装置上的出水孔溢出纯水，在超声波发生装置上方和硅片背面之间形成水膜，超声波发生装置通过水膜将超声波能量传给硅片；清洗完毕，喷嘴停止喷洒液体，超声波发生装置停止工作，出水孔停止溢出；喷嘴喷洒气体干燥硅片；干燥完毕，停止喷洒气体，旋转平台停止转动，取出硅片。

7.如权利要求6所述的清洗方法，其特征在于：所述喷嘴的喷洒方式为高压喷洒或无压重力下流方式。

8.如权利要求6所述的清洗方法，其特征在于：所述超声波发生装置工作频率为0.25～2兆赫兹，投射到硅片背面的功率为0.5～5瓦特/平方厘米。

9.如权利要求6所述的清洗方法，其特征在于：所述硅片采用真空吸附的方式固定于所述支架上。

10.如权利要求6所述的清洗方法，其特征在于：所述旋转平台转速为500～3000转/分钟。