[发明专利]半导体硅片的清洗方法无效
| 申请号： | 200810207433.9 | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101447416A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 张晨骋 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;B08B3/10 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 硅片 清洗 方法 | ||
1.一种半导体硅片的清洗方法，其特征在于：在清洗之前对硅片背面加热一定时间后，开始对硅片正面喷洒清洗液进行清洗，且在清洗过程中硅片正面同与之接触的清洗液之间始终具有一温差。
2.根据权利要求1所述的半导体硅片的清洗方法，其特征在于：包括如下步骤：
首先，将硅片放置于喷洒式清洗工艺腔内的固定于旋转平台的硅片托架上；
然后，旋转平台带动硅片托架及其上硅片旋转，且开始对硅片背面加热，所述旋转和加热步序同时进行或任意先后进行；
其次，经一定时间后，对硅片正面喷洒清洗液直至硅片洗净，此清洗过程中，硅片正面同清洗液之间始终具有一温差；
接着，停止加热和喷洒清洗液；
最后，硅片干燥后停止转动。
3.根据权利要求1或2所述的半导体硅片的清洗方法，其特征在于：所述对硅片背面加热是通过设置在旋转平台内的出水孔对硅片背面喷涌高温纯水，使硅片背面与高温纯水相接触来实现。
4.根据权利要求3所述的半导体硅片的清洗方法，其特征在于：所述出水孔，其直径为1/4英寸至1/2英寸。
5.根据权利要求3所述的半导体硅片的清洗方法，其特征在于：所述高温纯水，其温度为80～95摄氏度。
6.根据权利要求1或2所述的半导体硅片的清洗方法，其特征在于：所述一定时间为5～20秒。
7.根据权利要求1或2所述的半导体硅片的清洗方法，其特征在于：所述对硅片正面喷洒清洗液是通过设置于工艺腔内硅片上方的可移动旋臂上的喷嘴来实现。
8.根据权利要求7所述的半导体硅片的清洗方法，其特征在于：所述喷嘴数量为1至5个。
9.根据权利要求1或2所述的半导体硅片的清洗方法，其特征在于：所述清洗液为药液或纯水。
10.根据权利要求7所述的半导体硅片的清洗方法，其特征在于：所述喷嘴的喷洒方式采用高压喷射或者是无压自然重力下流方式。
11.根据权利要求1或2所述的半导体硅片的清洗方法，其特征在于：所述硅片尺寸为4英寸至12英寸。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
