[发明专利]浅沟槽隔离结构的制造方法有效
| 申请号： | 200810207518.7 | 申请日： | 2008-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101752291A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制造 方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：
在半导体衬底上形成浅沟槽；
在半导体衬底上沉积电介质材料，所述电介质材料填充所述浅沟槽；
利用含F的等离子体刻蚀所述半导体衬底上的电介质材料；
利用含N的等离子体处理所述半导体衬底上的电介质材料，含N的等离 子体与电介质材料表面残留的氟离子反应，生成三氟化氮以去除氟残留及重 复使用三氟化氮形成含氟的等离子体刻蚀电介质材料。
2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：所述 沉积电介质材料的步骤中，使用了含H的等离子体；所述含N的等离子体还 包括O等离子体。
3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：所述 电介质材料为SiO2。
4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：形成 所述含N的等离子体的气体为N2、N2O、NO或NO2。
5.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：所述 填充为部分填充，所述制造方法还包括步骤：重复沉积电介质材料、利用含F 的等离子体刻蚀所述半导体衬底上的电介质材料以及利用含N的等离子体处 理所述半导体衬底上的电介质材料的步骤，直至所述电介质材料至少完全填 满所述浅沟槽。
6.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：所述 在半导体衬底上沉积电介质材料使用高浓度等离子-化学气相沉积的方法。
7.如权利要求6所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于：所述 高浓度等离子-化学气相沉积的方法所使用的气体源包括SiH4和H2。
8.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，还包 括步骤：移除含N的等离子体处理所述半导体衬底后的反应产物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
