[发明专利]侧墙基层形成方法及侧墙形成方法有效
| 申请号： | 200810208062.6 | 申请日： | 2008-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101764057A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 赵林林;韩宝东 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/311;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 墙基 形成 方法 | ||
1.一种侧墙基层形成方法，其特征在于，包括：
在基底上形成栅极；
在形成有所述栅极的基底表面形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述栅极；
在所述第一介质层上形成第二介质层；
以所述第一介质层为终止层，刻蚀所述第二介质层，以形成环绕所述栅极的侧墙基层；
其特征在于，至少在刻蚀所述第二介质层的过程的前段，偏置参数设为零 ;其中，所述偏置参数包括等离子体增强刻蚀模式下的偏置电压或磁增强刻蚀模式下的磁感应强度。
2.根据权利要求1所述的侧墙基层形成方法，其特征在于：所述第一介质层材料包括氧化硅或氮氧化硅。
3.根据权利要求1所述的侧墙基层形成方法，其特征在于：所述第二介质层材料包括异于所述第一介质层材料的氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
4.根据权利要求1所述的侧墙基层形成方法，其特征在于：在磁增强刻蚀模式下，在反应压力为30mT-40mT，反应气体总流量为300sccm-350sccm时，所述磁感应强度小于或等于5G。
5.一种侧墙形成方法，其特征在于，包括：
在基底上形成栅极；
在形成有所述栅极的基底表面形成氧化硅层，所述氧化硅层覆盖所述栅极；
在所述氧化硅层上形成氮化硅层或氮氧化硅层；
以所述氧化硅层为终止层，刻蚀所述氮化硅层或氮氧化硅层，以形成环绕所述栅极的侧墙；
其特征在于，至少在刻蚀所述氮化硅层或氮氧化硅层的过程的前段，偏置参数设为零 ;其中，所述偏置参数包括等离子体增强刻蚀模式下的偏置电压或磁增强刻蚀模式下的磁感应强度。
6.根据权利要求5所述的侧墙形成方法，其特征在于：在磁增强刻蚀模式下，在反应压力为30mT-40mT，反应气体总流量为300sccm-350sccm时，所述磁感应强度小于或等于5G。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
