[发明专利]金属互连线形成方法无效
| 申请号： | 200810208063.0 | 申请日： | 2008-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101764082A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 聂佳相;康芸;杨瑞鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 互连 线形 成方 | ||
1.一种金属互连线形成方法，包括，
在第一介质层内形成接触孔；
形成填充所述接触孔的钨层；
形成覆盖所述第一介质层及所述钨层的第二介质层；
在所述第二介质层中形成沟槽，所述沟槽暴露填充所述通孔的钨层；
在所述沟槽内形成导电层；
其特征在于：在形成所述沟槽和所述导电层的步骤之间，不执行等离子体清洗操作。
2.根据权利要求1所述的金属互连线形成方法，其特征在于，形成所述导电层的步骤包括：
形成覆盖所述沟槽的底壁及侧壁的粘接层；
形成覆盖所述粘接层并填充所述沟槽的铜层。
3.根据权利要求2所述的金属互连线形成方法，其特征在于：所述粘接层包括Ti/TiN或Ta/TaN。
4.根据权利要求1所述的金属互连线形成方法，其特征在于：执行所述等离子体清洗操作时，反应气体包含H2和He，所述反应气体的流量范围为50sccm-100sccm。
5.根据权利要求1所述的金属互连线形成方法，其特征在于：执行所述等离子体清洗操作时，反应持续时间持续50s-80s。
6.根据权利要求1所述的金属互连线形成方法，其特征在于：执行所述等离子体清洗操作时，解离功率为600w-800w；偏置功率为5w-20w。
7.根据权利要求1所述的金属互连线形成方法，其特征在于，在形成所述接触孔和填充所述钨层的步骤之间，不执行辅助等离子体清洗操作。
8.根据权利要求7所述的金属互连线形成方法，其特征在于，在形成所述接触孔和所述钨层之间，还包括：形成覆盖所述接触孔的底壁及侧壁的辅助粘接层。
9.根据权利要求8所述的金属互连线形成方法，其特征在于：所述辅助粘接层包括Ti/TiN或Ta/TaN。
10.根据权利要求7所述的金属互连线形成方法，其特征在于：执行所述辅助等离子体清洗操作时，反应气体包含Ar，所述反应气体的流量范围为50sccm-100sccm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810208063.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
