[发明专利]双镶嵌结构的形成方法及沟槽形成方法有效
| 申请号： | 200810208065.X | 申请日： | 2008-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101764059A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 赵林林;张海洋;尹晓明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 镶嵌 结构 形成 方法 沟槽 | ||
1.一种双镶嵌结构的形成方法，所述双镶嵌结构包括贯穿介质层 的通孔及与所述通孔对准的沟槽，所述介质层形成于基底上；其特征在 于，去除部分深度的所述介质层形成所述沟槽的步骤包括：
以包含氟氮气体的第一刻蚀气体执行第一刻蚀操作；
以包含氟碳气体的第二刻蚀气体顺序执行第二刻蚀操作，其中，所 述氟碳气体的氟碳比小于4∶1，以在刻蚀过程的后段在形成的沟槽侧壁 上附着更多的聚合物以作为所述侧壁的保护层，减少所述侧壁上凹陷的 产生；所述第一刻蚀操作与所述第二刻蚀操作仅用以区分在刻蚀过程的 不同阶段选择的刻蚀气体有所不同。
2.根据权利要求1所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于：所 述氟碳气体的氟碳比小于所述氟氮气体的氟氮比。
3.根据权利要求1所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于：所 述氟氮气体为NF3。
4.根据权利要求1所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于：所 述氟碳气体为CH2F2。
5.根据权利要求1所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于：所 述介质层材料为低介电常数材料。
6.根据权利要求1所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于：所 述第二刻蚀气体中还包括O2。
7.根据权利要求1所述的双镶嵌结构的形成方法，其特征在于：所 述第二刻蚀气体中还包括Ar。
8.一种沟槽形成方法，对介质层执行刻蚀操作以去除部分深度的所 述介质层后形成所述沟槽，其特征在于，所述执行刻蚀操作以去除部分 深度的所述介质层的步骤包括：
以包含氟氮气体的第一刻蚀气体执行第一刻蚀操作；
以包含氟碳气体的第二刻蚀气体顺序执行第二刻蚀操作，其中，所 述氟碳气体的氟碳比小于4∶1，以在刻蚀过程的后段在形成的沟槽侧壁 上附着更多的聚合物以作为所述侧壁的保护层，减少所述侧壁上凹陷的 产生；所述第一刻蚀操作与所述第二刻蚀操作仅用以区分在刻蚀过程的 不同阶段选择的刻蚀气体有所不同。
9.根据权利要求8所述的沟槽形成方法，其特征在于：所述氟碳气 体的氟碳比小于所述氟氮气体的氟氮比。
10.根据权利要求8所述的沟槽形成方法，其特征在于：所述氟氮 气体为NF3。
11.根据权利要求8所述的沟槽形成方法，其特征在于：所述氟碳 气体为CH2F2。
12.根据权利要求8所述的沟槽形成方法，其特征在于：所述介质 层材料为低介电常数材料。
13.根据权利要求8所述的沟槽形成方法，其特征在于：所述第二 刻蚀气体中还包括O2。
14.根据权利要求8所述的沟槽形成方法，其特征在于：所述第二 刻蚀气体中还包括Ar。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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