[发明专利]快闪存储器的形成方法无效
| 申请号： | 200810208186.4 | 申请日： | 2008-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101770954A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉;蔡孟峰;常建光 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闪存 形成 方法 | ||
1.一种快闪存储器的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有浮栅以及位于浮栅上的层间绝缘层；
在半导体衬底上形成多晶硅层，所述多晶硅层覆盖浮栅；
在多晶硅层上形成研磨保护层；
平坦化研磨保护层和多晶硅层；
刻蚀多晶硅层至露出半导体衬底，在浮栅位置的层间绝缘层上形成控制栅。
2.如权利要求1所述快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述研磨保护层是光刻胶层、正硅酸乙酯膜层、氧化绝缘膜层或硼磷硅玻璃与富硅玻璃的堆叠层。
3.如权利要求2所述快闪存储器的形成方法，其特征在于，形成光刻胶层的方法是旋涂法。
4.如权利要求3所述快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度为500纳米～2000纳米。
5.如权利要求2所述快闪存储器的形成方法，其特征在于，形成正硅酸乙酯膜层的方法为化学气相沉积法。
6.如权利要求5所述快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述正硅酸乙酯膜层的厚度为500埃～2000埃。
7.如权利要求2所述快闪存储器的形成方法，其特征在于，形成氧化绝缘膜层的方法为化学气相沉积法。
8.如权利要求5所述快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述氧化绝缘膜层的厚度为2000埃～5000埃。
9.如权利要求2所述快闪存储器的形成方法，其特征在于，硼磷硅玻璃与富硅玻璃的堆叠层中富硅玻璃位于多晶硅层上，硼磷硅玻璃位于富硅玻璃上。
10.如权利要求9所述快闪存储器的形成方法，其特征在于，形成硼磷硅玻璃和富硅玻璃的方法为化学气相沉积法。
11.如权利要求10所述快闪存储器的形成方法，其特征在于，所述硼磷硅玻璃的厚度为3000埃～6000埃，富硅玻璃的厚度为200埃～1000埃。
12.如权利要求1所述快闪存储器的形成方法，其特征在于，平坦化研磨保护层和多晶硅层的方法为化学机械研磨法。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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