[发明专利]锗三维光子晶体的制备方法

权利要求书

1.锗三维光子晶体的制备方法，其特征在于锗三维光子晶体的制备方法 按以下步骤实现：一、倾斜沉积法制备聚苯乙烯小球模板：将经清洗的ITO 玻璃基片倾斜浸入体积浓度为0.2％～0.3％的聚苯乙烯小球水溶液中，在65℃ 下静置72小时，即在ITO玻璃基片表面生长出聚苯乙烯小球模板，然后降至 室温，取出ITO玻璃基片，密闭干燥保存；二、配制电解液：将水含量低于 2ppm的1己基-3甲基咪唑三全氟烃基三氟磷酸盐离子液体与纯度为 99.99999％(质量)的GeCl4混合，配成锗离子的摩尔浓度为0.1～1mol/L的电 解液，然后密封放置一天；三、三电极电沉积法在聚苯乙烯小球模板原位生长 锗：采用聚苯乙烯小球模板作为工作电极、纯度为99.999％(质量)的铂丝作 为对电极、纯度为99.999％(质量)的银丝作为参比电极，采用密封放置的电 解液，先进行CV曲线的扫描，获得还原电位，在CV曲线扫描测得还原电位 下沉积四个小时；四、化学刻蚀法去除聚苯乙烯小球模板：用有机溶剂溶解掉 聚苯乙烯小球模板，即得锗三维光子晶体，步骤一中聚苯乙烯小球的直径为 320nm。

2.根据权利要求1所述的锗三维光子晶体的制备方法，其特征在于步骤 一中聚苯乙烯小球是单一球径聚苯乙烯小球。

3.根据权利要求2所述的锗三维光子晶体的制备方法，其特征在于步骤 一中ITO玻璃基片的清洗方法为依次用丙酮、甲醇和超纯水分别超声清洗 20min。

4.根据权利要求3所述的锗三维光子晶体的制备方法，其特征在于步骤 一中ITO玻璃基片的电阻为10～100欧姆。

5.根据权利要求4所述的锗三维光子晶体的制备方法，其特征在于步骤 二中电解液的锗离子摩尔浓度为0.2～0.8mol/L。

6.根据权利要求4所述的锗三维光子晶体的制备方法，其特征在于步骤 二中电解液的锗离子摩尔浓度为0.5mol/L。

7.根据权利要求5或6所述的锗三维光子晶体的制备方法，其特征在于 步骤四中有机溶剂为四氢呋喃、甲苯或氯仿。