[发明专利]用于电化学和电子装置的水平梯度结构

权利要求书

1.一种梯度多层结构，其适于用作电化学装置中的电极或用作保护涂层，所述梯度多层结构包含支撑层和形成梯度层的至少10个单个层，其中所述至少10个单个层的每一层至少部分地与所述支撑层接触，

其中所述至少10个单个层在选自层组成、孔隙率和电导率的至少一种性质上彼此不同，且

其中将所述至少10个单个层排列以使层组成、孔隙率和/或电导率水平于所述支撑层在总的层区域内形成梯度。

2.一种梯度多层结构，其适于用作电化学装置中的电极或用作保护涂层，所述梯度多层结构包含支撑层和形成梯度层的至少两个单个层，其中所述至少两个单个层的每一层至少部分地与所述支撑层接触，

其中所述至少两个单个层在选自层组成、孔隙率和电导率的至少一种性质上彼此不同，

其中将所述至少两个单个层排列以使层组成、孔隙率和/或电导率水平于所述支撑层在总的层区域内形成梯度，且

其中包含所述至少两个单个层的梯度层的总厚度为大于5μm。

3.根据权利要求1或2所述的梯度多层结构，其中所述梯度层的每个单个层至少部分地与所述支撑层接触，并且与至少一个其它单个层接触。

4.根据权利要求1或2所述的梯度多层结构，其中与所述支撑层接触的所述梯度层单个层的表面也与至少一个其它单个层的表面接触。

5.根据权利要求1或2所述的梯度多层结构，其中所述梯度层的至少一个单个层从包含以下组分的组合物形成：LSCM(La_1-xSr_x)_s(Cr_1-yMn_y)O_3-δ、氧化钇稳定的氧化锆(YSZ)、氧化钪氧化钇稳定的氧化锆(SYSZ)、STN Sr_s(Ti_1-yNb_y)O_3-δ和/或CGOCe_1-xGd_xO_2-δ，其中0＜x/y≤1和0＜δ≤1。

6.根据权利要求1或2所述的梯度多层结构，其中所述梯度层的至少一个单个层从包含以下组分的组合物形成：LSC(La_1-xSr_x)_sCoO_3-δ、LSM(La_1-xSr_x)_sMnO_3-δ、和/或LSCF(La_1-xSr_x)_s(Co_1-yFe_y)O_3-δ，其中0＜x/y≤1和0＜δ≤1。

7.根据权利要求1或2所述的梯度多层结构，其中所述梯度层的至少一个单个层从包含以下组分的组合物形成：MgO、Ru、LSCr(La_1-xSr_x)_sCrO_3-δ、和/或LSCrF(La_1-xSr_x)_s(Cr_1-yFe_y)O_3-δ，其中0＜x/y≤1和0＜δ≤1。

8.根据权利要求1或2所述的梯度多层结构，其中所述梯度层的至少一个单个层从包含以下组分的组合物形成：掺杂的亚锰酸盐/钴酸盐和金属氧化物LSC(La_1-xSr_x)_sCoO_3-δ，其中0＜x≤1和0＜δ≤1，和/或Al₂O₃。

9.根据权利要求1或2所述的梯度多层结构，进一步包含在所述梯度层的单个层顶部的附加层，其中所述附加层接触所有的所述梯度层的单个层。

10.根据权利要求1或2所述的梯度多层结构，其中所述梯度层的至少一个单个层是镧锶铬氧化物层。

11.根据权利要求1或2所述的梯度多层结构，其中所述梯度层包含至少20个单个层。

12.根据权利要求1或2所述的梯度多层结构，其中所述梯度层的单个层是多孔层。