[发明专利]光电转换组件及其制造方法

权利要求书

1、一种光电转换组件，包括：

半导体基板，该半导体基板具有表面，该表面具有至少一个凹结构和/或至少一个凸结构；以及

多个微结构，该多个微结构位于所述表面上；

其中，所述微结构为将多个半导体纳米粒子形成于所述表面以作为屏蔽并由蚀刻该表面而形成。

2、如权利要求1所述的光电转换组件，其中所述微结构位于所述凹结构和/或所述凸结构上。

3、如权利要求1所述的光电转换组件，其中所述蚀刻所述表面的方法为干式蚀刻和/或湿式蚀刻。

4、如权利要求1所述的光电转换组件，其中所述半导体纳米粒子由多个半导体粒子形成，该半导体纳米粒子的材料选自碳化硅、氮化硅、非晶硅中的一者或其组合。

5、如权利要求1所述的光电转换组件，该光电转换组件应用于太阳能电池。

6、一种光电转换组件的制造方法，包括下列步骤：

提供半导体基板，该半导体基板具有表面；

在该半导体基板的所述表面上形成至少一个凹结构和/或至少一个凸结构；

在所述表面上提供多个半导体纳米粒子以作为屏蔽；以及

蚀刻所述半导体基板的所述表面并形成多个微结构。

7、如权利要求6所述的制造方法，其中蚀刻所述半导体基板的所述表面为干式蚀刻和/或湿式蚀刻。

8、如权利要求6所述的制造方法，其中所述半导体纳米粒子选自碳化硅、氮化硅、非晶硅中的一者或其组合。

9、如权利要求6所述的制造方法，其中形成所述半导体纳米粒子的方式为化学气相沉积、物理气相沉积、等离子体化学气相沉积、蒸镀系统、溶胶-凝胶法中的一者或其组合。

10、如权利要求6所述的制造方法，其中形成所述微结构后，还包括：

局部或完全移除所述半导体纳米粒子。