[发明专利]化学气相淀积反应器和化学气相淀积方法

权利要求书

1.一种化学气相淀积反应器，该化学气相淀积反应器包括圆柱形反应腔，所述圆柱形反应 腔内包括反应腔顶盖，反应腔底盘，筒状反应腔侧壁，放置在所述反应腔底盘中心部位 的圆柱形顶盖支撑，水平放置在所述圆柱形反应腔中的环形衬底载盘，水平放置在所述 反应腔侧壁上部界于所述反应腔顶盖和环形衬底载盘之间的气体导入环，围绕着所述圆 柱形顶盖支撑的环形气体排出通道或水平放置在所述圆柱形顶盖支撑上部的气体排出 环，放置在所述环形衬底载盘下方的加热装置和放置在所述反应腔底盘附近的排气孔； 其特征在于：所述圆柱形顶盖支撑所提供的顶部支撑到所述反应腔顶盖内侧的中央部 位；所述气体导入环包含若干环形气体喷嘴，由所述环形气体喷嘴导入所述反应腔的气 流方向平行于所述环形衬底载盘表面或与所述环形衬底载盘表面成小于90度的斜角， 所述环形气体喷嘴之间相互不连通，每一个所述环形气体喷嘴与各自的供气单元连接。

2.一种使用权利要求1所述化学气相淀积反应器进行化学气相淀积的方法，其特征在于， 该方法包括至少有一片衬底放置在所述环形衬底载盘上，若干气流由所述气体导入环上 相对应的环形气体喷嘴沿径向由外向内方向导入到所述圆柱形反应腔，所述气流在所述 环形衬底载盘表面形成由外向内的层流，并经由所述环形气体排出通道或所述气体排出 环排出所述反应腔。

3.一种化学气相淀积反应器，该化学气相淀积反应器包括圆柱形反应腔，所述圆柱形反应 腔内包括反应腔顶盖，反应腔底盘，筒状反应腔侧壁，放置在所述反应腔底盘中心部位 的圆柱形顶盖支撑，水平放置在所述圆柱形反应腔中的环形衬底载盘，水平放置在所述 圆柱形顶盖支撑上部界于所述反应腔顶盖和环形衬底载盘之间的气体导入环，围绕着所 述反应腔外围的环形气体排出通道或水平放置在所述反应腔侧壁上部的气体排出环，放 置在所述环形衬底载盘下方的加热装置和放置在所述反应腔底盘附近的排气孔；其特征 在于：所述圆柱形顶盖支撑所提供的顶部支撑到所述反应腔顶盖内侧的中央部位；所述 气体导入环包含若干环形气体喷嘴，由所述环形气体喷嘴导入所述反应腔的气流方向平 行于所述环形衬底载盘表面或与所述环形衬底载盘表面成小于90度的斜角，所述环形 气体喷嘴之间相互不连通，每一个所述环形气体喷嘴与各自的供气单元连接。

4.一种使用权利要求3所述化学气相淀积反应器进行化学气相淀积的方法，该方法包括至 少有一片衬底放置在所述环形衬底载盘上，若干气流由所述气体导入环上相对应的环形 气体喷嘴沿径向由内向外方向导入所述圆柱形反应腔，所述气流在所述环形衬底载盘表 面形成由内向外的层流，并经由所述环形气体排出通道或所述气体排出环排出所述反应 腔。

5.一种化学气相淀积反应器，该化学气相淀积反应器包括圆柱形反应腔，所述圆柱形反应 腔内包括反应腔顶盖，反应腔底盘，筒状反应腔侧壁，放置在所述反应腔底盘中心部位 的圆柱形顶盖支撑，水平放置在所述圆柱形反应腔中的环形衬底载盘，放置在所述反应 腔顶部的气体引入盘，水平放置在所述反应腔侧壁上部界于所述气体引入盘和所述环形 衬底载盘之间的气体导入环，水平放置在所述圆柱形顶盖支撑上部的气体排出环或者围 绕着所述圆柱形顶盖支撑的环形气体排出通道，放置在所述环形衬底载盘下方的加热装 置和放置在所述反应腔底盘附近的排气孔；其特征在于：所述圆柱形顶盖支撑所提供的 顶部支撑到所述反应腔顶盖内侧的中央部位；所述气体引入盘下表面有若干通孔；所述 气体导入环包含若干环形气体喷嘴，由所述环形气体喷嘴导入所述反应腔的气流方向平 行于所述环形衬底载盘表面或与所述环形衬底载盘表面成小于90度的斜角，所述环形 气体喷嘴之间相互不连通，每一个所述环形气体喷嘴与各自的供气单元连接。