[发明专利]真空加工器无效
申请号: | 200810210647.1 | 申请日: | 2008-08-13 |
公开(公告)号: | CN101369527A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 佐藤史英 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/205;H01L21/3065;C23C16/44;C23F4/00;B01D46/52;B01D46/10 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙志湧;陆锦华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 加工 | ||
本发明基于日本专利申请第2007-210845号,其全部内容通过引用 而包含于此。
技术领域
本发明涉及真空加工器。
背景技术
在传统上,已将CVD装置、溅射装置或干蚀刻装置等真空加工器 用于制造半导体元件和电子部件。在这种装置中,将半导体衬底等加 工的对象放置在加工室内,且使内部加工室保持真空状态以进行薄膜 形成等处理。
如果颗粒附着至半导体衬底,则成品率下降。因而做出了各种对 策。
日本专利申请特开第60-227421号、第2001-338906号和第 7-312363号已分别公开了一种在整个加工室上提供粘性镀层的技术。
日本专利申请特开第2001-259328号公开了一种在泵和加工室之 间提供过滤器的技术。此外,日本专利申请特开第2004-247680号公开 了这样一种技术:使用在等离子体中诞生的电荷,凭借施加了电位的 电极来捕获在等离子体反应器中生成的颗粒。
此外,还提出了如日本专利申请特开第3-118815号和第 2007-180467号所公开的方案。在日本专利申请特开第3-118815号中记 载的装置是这样构建的:即以粘性材质来覆盖连接至真空容器的管道 内壁,并使该粘性材质吸收在管道内生成的灰尘。在日本专利申请特 开第2007-180467号中,将绒絮体置于连接管道的内部,该连接管道用 于将衬底加工装置的加工室与排气泵连接。由例如纯净的毡子或氟乙 烯树脂毡子制成的绒絮体捕获颗粒。
近年来,为了使真空装置的真空容器的内部保持更高度的真空, 已使用了具有涡轮分子泵(TMP)用的旋转叶片的泵,其被用作排空真空 容器的内部的泵。本发明人的研究表明:在真空加工器中,附着在泵 外周的颗粒落在泵上并被泵旋转叶片反弹。泵旋转叶片以例如约36000 转/秒的高速旋转,因此颗粒很难落在泵上以穿过旋转叶片的翼。因此, 颗粒被泵旋转叶片反弹。虽然反弹的颗粒在管道内部到处反弹,但被 泵旋转叶片反弹的颗粒的速度很高。因而,认为管道中的粘性材质很 难被捕获。具体地,估计在日本专利申请特开第3-118815号中记载的 粘性材质对于高速地运动的颗粒将展现与刚体相同的运作,且颗粒将 弹性地散开。因此,认为颗粒将到达真空容器中的半导体衬底等,从 而对半导体元件的成品率造成不利效应。
然而,现已发现:日本专利申请特开第3-118815号和2第 007-180467号所公开的真空加工器尽管提供了粘性材质或绒絮体,但 仍不能抑制成品率的劣化。
日本专利申请特开第2007-180467号所公开的真空加工器使用绒 絮体来捕获被泵旋转叶片反弹的颗粒。然而,从绒絮体会生成灰尘, 因此不能抑制半导体元件的成品率的劣化。在真空加工器中使用的绒 絮体是通过将一大张毡子裁剪成连接管道的尺寸从而获得的。因而, 绒絮体外周部的前端相当于要裁剪的部分。可以认为:灰尘易于从要 裁剪的部分生成,因此不能抑制半导体元件的成品率的劣化。
发明内容
根据本发明,一种真空加工器包括:加工室;泵,其使所述加工 室的内部保持真空状态;连接部,其将所述加工室与所述泵连接并形 成为其中具有气体通道;和捕获部,其具有设置于所述连接部的内壁 以捕获穿过所述气体通道的颗粒的纤维物,所述纤维物具有朝向所述 通道的织布或无纺布的表面,并且所述织布或无纺布的外周部折叠至 背侧且所述外周部的前端叠合至所述背侧。
根据本发明,捕获部具有纤维物,其朝向连接部内的气体通道并 沿通道设置以捕获颗粒。在本发明中,被泵旋转叶片反弹的颗粒与捕 获部的纤维物相碰撞。此时,在构成纤维物的纤维之间捕获颗粒。
通过以这种方式在捕获部中提供朝向连接部内的气体通道的纤维 物,从而像使用传统的粘性材质那样,可抑制反弹颗粒,并可防止被 泵旋转叶片反弹的颗粒侵入加工室。这就可以抑制以真空加工器制造 的器件的成品率的劣化。
在本发明中,纤维物具有朝向通道的织布或无纺布的表面,织布 或无纺布的外周部折叠至背侧且该外周部的前端叠合至背侧。具体地, 在本发明中,构成纤维物的织布或无纺布的外周部前端叠合至背侧, 这就抑制了外周部前端的暴露。因而,可抑制从构成纤维物的织布或 无纺布的外周部前端生成的灰尘侵入通道以及进一步侵入加工室。这 就更好地抑制了以真空加工器制造的器件的成品率的劣化。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造