[发明专利]在绝缘层上覆硅基板中形成对准标记的方法

权利要求书

1、一种在绝缘层上覆硅基板中形成对准标记的方法，其特征在于，包括：

在一绝缘层上覆硅基板中形成多个沟渠，以定义出多个主动区；

在所述绝缘层上覆硅基板上形成一绝缘材料，并填满所述沟渠；以及

进行一第一蚀刻制程，移除部分所述绝缘材料，直到暴露出所述主动区的顶面，以及直到所述主动区之间的所述绝缘材料的顶面低于所述主动区的顶面。

2、根据权利要求1所述的在绝缘层上覆硅基板中形成对准标记的方法，其特征在于，所述第一蚀刻制程包括干式蚀刻制程。

3、根据权利要求1所述的在绝缘层上覆硅基板中形成对准标记的方法，其特征在于，所述沟渠的形成方法包括：

在所述绝缘层覆硅基板上形成一图案化硬罩幕层；以及

以所述图案化硬罩幕层为罩幕进行一第二蚀刻制程，以移除部分所述绝缘层覆硅基板。

4、根据权利要求3的在绝缘层上覆硅基板中形成对准标记的方法，其特征在于，所述主动区的顶面为所述图案化硬罩幕层的顶面。

5、根据权利要求4的在绝缘层上覆硅基板中形成对准标记的方法，其特征在于，所述图案化硬罩幕层的材料包括氮化物。

6、根据权利要求1的在绝缘层上覆硅基板中形成对准标记的方法，其特征在于，所述绝缘材料包括氧化物。

7、根据权利要求1的在绝缘层上覆硅基板中形成对准标记的方法，其特征在于，所述在形成所述绝缘材料之后以及进行所述第一蚀刻制程之前，更包括进行一第二蚀刻制程，以移除部分所述绝缘材料，但未暴露出所述主动区的顶面。

8、一种在绝缘层上覆硅基板中形成对准标记的方法，其特征在于，包括：

提供一绝缘层上覆硅基板，所述绝缘层上覆硅基板具有一晶片区与一非晶片区；

在所述绝缘层上覆硅基板中形成多个沟渠，以定义出多个主动区；

在所述绝缘层上覆硅基板上形成一绝缘材料，并填满所述沟渠；

在所述晶片区形成一罩幕层，以覆盖所述晶片区的所述绝缘材料；

进行一第一蚀刻制程，移除所述非晶片区的部分所述绝缘材料，直到暴露出所述非晶片区的所述些主动区的顶面，以及直到所述非晶片区的所述主动区之间的所述绝缘材料的顶面低于所述主动区的顶面；

移除所述罩幕层；以及

进行一平坦化制程，移除所述晶片区的部分所述绝缘材料，直到暴露出所述晶片区的所述主动区的顶面。

9、根据权利要求8的在绝缘层上覆硅基板中形成对准标记的方法，其特征在于，所述第一蚀刻制程包括干式蚀刻制程。

10、根据权利要求8的在绝缘层上覆硅基板中形成对准标记的方法，其特征在于，所述沟渠的形成方法包括：

在所述绝缘层覆硅基板上形成一图案化硬罩幕层；以及

以所述图案化硬罩幕层为罩幕进行一第二蚀刻制程，以移除部分所述绝缘层覆硅基板。

11、根据权利要求10的在绝缘层上覆硅基板中形成对准标记的方法，其特征在于，所述主动区的顶面为所述图案化硬罩幕层的顶面。

12、根据权利要求10的在绝缘层上覆硅基板中形成对准标记的方法，其特征在于，所述图案化硬罩幕层的材料包括氮化物。

13、根据权利要求8的在绝缘层上覆硅基板中形成对准标记的方法，其特征在于，所述绝缘材料包括氧化物。

14、根据权利要求8的在绝缘层上覆硅基板中形成对准标记的方法，其特征在于，所述罩幕层的材料包括光阻。

15、根据权利要求8的在绝缘层上覆硅基板中形成对准标记的方法，其特征在于，所述平坦化制程包括化学机械研磨制程。

16、根据权利要求8的在绝缘层上覆硅基板中形成对准标记的方法，其特征在于，所述在形成所述绝缘材料之后以及进行所述第一蚀刻制程之前，更包括进行一第二蚀刻制程，以移除所述晶片区与所述非晶片区的部分所述绝缘材料，但未暴露出所述主动区的顶面。