[发明专利]中心加热相变化存储器结构及其制造方法

权利要求书

1.一种存储装置，其特征在于，包含：

一介电层，具有一顶表面；

一介层孔，自该介电层的该顶表面延伸，并具有一底部位和一顶部位；

一底电极，位于该介层孔的该底部位之内；.

一第一相变化层，其包含一第一相变化材料于该介层孔的该顶部位之内且与该底电极连接，该第一相变化材料具有至少两种固相状态；

一电阻加热层，其包含一加热材料在该第一相变化层之上；

一第二相变化层，其包含一第二相变化材料在该电阻加热层之上，该第二相变化材料具有至少两种固相状态；以及

一顶电极，于该第二相变化层之上；

其中该加热材料具有一电阻率，该电阻率是大于该第一及第二相变化材料的最高电阻率。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，其中该电阻加热层、该第二相变化层及该顶电极形成一多层堆栈覆盖于该介电层的该顶表面上。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，其中该电阻加热层具有小于或等于10nm的一厚度。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，其中该加热材料具有一电阻率，该电阻率是大于该第一及第二相变化材料的该最高电阻率1.5倍至100倍之间。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，其中该加热材料具有一电阻率，该电阻率是大于该第一及第二相变化材料的该最高电阻率4倍至50倍之间。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，其中该加热材料包含掺杂氧化硅或氮化物，该氮化物是氮化钛、氮化钽、钨化钛、氮化硅钛、或氮化硅钽。

7.一种用来制造一存储装置的方法，其特征在于，该方法包含：

提供一底电极延伸至一介电层的一顶表面；

移除该底电极的一部位以形成一凹部；

填充该凹部以一第一相变化材料层，而该第一相变化材料层具有至少两种固态相；

形成一加热材料层于该第一相变化层之上；

形成一第二相变化材料层于该加热材料层之上，而该第二相变化材料层具有至少两种固态相；以及

形成一顶电极材料层于该第二相变化层之上；

其中该加热材料具有一电阻率，该电阻率是大于该第一及第二相变化材料的该最高电阻率。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，其中填充该凹部步骤包含：

形成该第一相变化材料层于该凹部之内及该介电层的该顶表面之上；以及

平坦化该第一相变化材料层以暴露出该介电层的该顶表面。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，更包含刻蚀该加热材料层、该第二相变化材料层及该顶电极材料层，因而形成一多层堆栈覆盖于该介电层的该顶表面上。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，其中该加热材料层具有小于或等于10nm的一厚度。

11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，其中该加热材料具有一电阻率，该电阻率是大于该第一及第二相变化材料的该最高电阻率1.5倍至100倍之间。

12.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，其中该加热材料包含掺杂氧化硅或氮化物，该氮化物是氮化钛、氮化钽、钨化钛、氮化硅钛、或氮化硅钽。