[发明专利]用于制造半导体元器件的方法以及因之的结构有效
申请号: | 200810211049.6 | 申请日: | 2008-08-20 |
公开(公告)号: | CN101419920A | 公开(公告)日: | 2009-04-29 |
发明(设计)人: | S·克里南;王松伟;J·库玛尔 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/50;H01L23/488;H01L23/495;H01L23/31 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 屠长存 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 半导体 元器件 方法 以及 因之 结构 | ||
技术领域
本发明一般涉及半导体元器件,更具体地,涉及半导体元器件中 使用的引线框架。
背景技术
半导体元器件制造商一直力求在降低他们的制造成本的同时,提 高他们产品的性能。半导体元器件制造中的一个成本密集领域是封装 含有半导体器件的半导体芯片(chip)。如本领域技术人员所周知的 是,分立的半导体器件和集成电路从半导体晶圆制造而来,该半导体 晶圆随后被单一元件化(singulated)或被切成小块以生产半导体芯 片。通常,一个或更多半导体芯片通过使用焊接晶片(die)连接材料连 接到金属引线框架,并且被封装到模制材料(mold compound)内,以 提供对环境应力和机械应力的防护。
在半导体芯片被封装并被单一元件化为半导体元器件之后,引线 框架中用于支撑的部分被丢弃。由于大部分金属被用于在制造步骤中 提供支撑,所以大部分金属被丢弃。因此,一种降低半导体元器件成 本的方法是引线框架采用低成本的金属。然而,金属的选择受到其机 械特性和性能指标,例如金属的热导率和导电率的强烈影响。在机械 强度,热导率和导电率之间提供可接受的平衡的金属为铜。铜的一个 缺点是其价格在持续上升,这增加了半导体元器件的成本。
因此,具有包括低成本引线框架的半导体元器件以及制造包括所 述低成本引线框架的所述半导体元器件的方法将是有优势的。
附图说明
结合附图阅读以下发明详述能更好地理解本发明,其中相似的参 考符合表示相似的元件,且其中:
图1是根据本发明实施方式的、用于在制造半导体元器件时使用 的引线框架的一部分的截面图;
图2是图1的引线框架部分在后续制造阶段的截面图。;
图3是图2的引线框架部分在后续制造阶段的截面图;
图4是图3的引线框架部分在后续制造阶段的截面图;
图5是包括图4的引线框架部分的引线框架在后续制造阶段的俯 视图;
图6是多个半导体元器件沿图7中截面线6-6截取的截面图;
图7是根据本发明实施方式的图6的多个半导体元器件的俯视 图;
图8是包括图6的引线框架部分的引线框架组件在后续制造阶段 的截面图;
图9是根据本发明另一实施方式的处于制造阶段的多个半导体 元器件的俯视图;
图10是图9中的单一元件化的半导体元器件在后续制造阶段的 截面图;
图11是根据本发明另一实施方式的、用于在半导体元器件制造 中使用的引线框架的截面图;
图12是根据本发明另一实施方式的处于制造阶段的多个半导体 元器件的俯视图,其中半导体元器件包括图11的引线框架;
图13是包括图11引线框架的引线框架组件在后续制造阶段的截 面图;
图14是图13的单一元件化的半导体元器件在后续制造阶段的截 面图;
图15是根据本发明另一实施方式的用于在半导体元器件制造中 使用的引线框架的截面图;
图16是图16的引线框架在后续制造阶段的截面图;
图17是根据本发明另一实施方式的处于制造阶段的多个半导体 元器件的俯视图,其中的半导体元器件包括图16的引线框架;
图18是包括图16引线框架的引线框架组件在后续制造阶段的截 面图;以及
图19是图18中的单一元件化的半导体元器件在后续制造阶段的 截面图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司,未经半导体元件工业有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810211049.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:板式热交换器
- 下一篇:用于色彩调节的角变元件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造