[发明专利]用于制造半导体元器件的方法以及因之的结构有效

专利信息
申请号: 200810211049.6 申请日: 2008-08-20
公开(公告)号: CN101419920A 公开(公告)日: 2009-04-29
发明(设计)人: S·克里南;王松伟;J·库玛尔 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L21/50;H01L23/488;H01L23/495;H01L23/31
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 屠长存
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 制造 半导体 元器件 方法 以及 因之 结构
【说明书】:

技术领域

发明一般涉及半导体元器件,更具体地,涉及半导体元器件中 使用的引线框架。

背景技术

半导体元器件制造商一直力求在降低他们的制造成本的同时,提 高他们产品的性能。半导体元器件制造中的一个成本密集领域是封装 含有半导体器件的半导体芯片(chip)。如本领域技术人员所周知的 是,分立的半导体器件和集成电路从半导体晶圆制造而来,该半导体 晶圆随后被单一元件化(singulated)或被切成小块以生产半导体芯 片。通常,一个或更多半导体芯片通过使用焊接晶片(die)连接材料连 接到金属引线框架,并且被封装到模制材料(mold compound)内,以 提供对环境应力和机械应力的防护。

在半导体芯片被封装并被单一元件化为半导体元器件之后,引线 框架中用于支撑的部分被丢弃。由于大部分金属被用于在制造步骤中 提供支撑,所以大部分金属被丢弃。因此,一种降低半导体元器件成 本的方法是引线框架采用低成本的金属。然而,金属的选择受到其机 械特性和性能指标,例如金属的热导率和导电率的强烈影响。在机械 强度,热导率和导电率之间提供可接受的平衡的金属为铜。铜的一个 缺点是其价格在持续上升,这增加了半导体元器件的成本。

因此,具有包括低成本引线框架的半导体元器件以及制造包括所 述低成本引线框架的所述半导体元器件的方法将是有优势的。

附图说明

结合附图阅读以下发明详述能更好地理解本发明,其中相似的参 考符合表示相似的元件,且其中:

图1是根据本发明实施方式的、用于在制造半导体元器件时使用 的引线框架的一部分的截面图;

图2是图1的引线框架部分在后续制造阶段的截面图。;

图3是图2的引线框架部分在后续制造阶段的截面图;

图4是图3的引线框架部分在后续制造阶段的截面图;

图5是包括图4的引线框架部分的引线框架在后续制造阶段的俯 视图;

图6是多个半导体元器件沿图7中截面线6-6截取的截面图;

图7是根据本发明实施方式的图6的多个半导体元器件的俯视 图;

图8是包括图6的引线框架部分的引线框架组件在后续制造阶段 的截面图;

图9是根据本发明另一实施方式的处于制造阶段的多个半导体 元器件的俯视图;

图10是图9中的单一元件化的半导体元器件在后续制造阶段的 截面图;

图11是根据本发明另一实施方式的、用于在半导体元器件制造 中使用的引线框架的截面图;

图12是根据本发明另一实施方式的处于制造阶段的多个半导体 元器件的俯视图,其中半导体元器件包括图11的引线框架;

图13是包括图11引线框架的引线框架组件在后续制造阶段的截 面图;

图14是图13的单一元件化的半导体元器件在后续制造阶段的截 面图;

图15是根据本发明另一实施方式的用于在半导体元器件制造中 使用的引线框架的截面图;

图16是图16的引线框架在后续制造阶段的截面图;

图17是根据本发明另一实施方式的处于制造阶段的多个半导体 元器件的俯视图,其中的半导体元器件包括图16的引线框架;

图18是包括图16引线框架的引线框架组件在后续制造阶段的截 面图;以及

图19是图18中的单一元件化的半导体元器件在后续制造阶段的 截面图。

具体实施方式

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