[发明专利]配线及层间连接通孔的形成方法

权利要求书

1.一种配线及层间连接通孔的形成方法，其特征在于，具有在基板的表面形成与配线图案相对应的槽并在应该形成层间连接通孔的位置形成凹部的槽及凹部形成工序、在形成有所述槽及所述凹部的基板的表面形成作为电镀的底层的第一金属层的底层形成工序、以及通过电镀在所述槽及所述凹部形成第二金属层的电镀工序，只对所述槽及所述凹部进行粗面化处理，在用于所述电镀工序的电镀液中添加添加剂，所述添加剂具有抑制电镀反应的功能，且具有随着电镀反应的进行其抑制该电镀反应的功能降低的特性，所述添加剂含有由下式表示的花青染料或其衍生物的至少一种，其中，n是0，1，2，3中的任一个，

〔化1〕

2.如权利要求1所述的配线及层间连接通孔的形成方法，其特征在于，所述添加剂具有使金属的析出过电压增大的功能。

3.如权利要求1所述的配线及层间连接通孔的形成方法，其特征在于，所述电镀液具有以下特性：

求表示圆盘电极的每转内圆盘电极的电位和电流密度的关系的极化曲线时，在第一电位的区域，圆盘电极的转速为1000rpm时的电流密度比圆盘电极的转速为零时的电流密度小，在比所述第一电位的区域负的第二施加电位的区域，圆盘电极的转速为1000rpm时的电流密度比圆盘电极的转速为零时的电流密度大。

4.如权利要求1所述的配线及层间连接通孔的形成方法，其特征在于，所述电镀液具有以下特性：

求表示圆盘电极的每转内圆盘电极的电位和电流密度的关系的极化曲线时，电位在相对于标准氢电极电位为+100～200mV的范围内，圆盘电极的转速为1000rpm时的电流密度在圆盘电极的转速为零时的电流密度的1/100以下，电位在相对于标准氢电极电位比-100mV负的范围内，圆盘电极的转速为1000rpm时的电流密度比圆盘电极的转速为零时的电流密度大。

5.如权利要求1所述的配线及层间连接通孔的形成方法，其特征在于，所述电镀液为酸性硫酸铜溶液，所述第二金属层由铜形成。

6.如权利要求1所述的配线及层间连接通孔的形成方法，其特征在于，所述第一金属层由铜、镍、钴、铬、钨、钯、钛或含有镍、钴、铬、钨、钯、钛或它们中的至少一种的合金形成。

7.如权利要求1所述的配线及层间连接通孔的形成方法，其特征在于，所述底层形成工序之后且所述电镀工序之前，所述槽及所述凹部的JISB0601规定的算术平均粗糙度Ra比所述槽及所述凹部以外的区域的JISB0601规定的算术平均粗糙度Ra大。

8.如权利要求1所述的配线及层间连接通孔的形成方法，其特征在于，所述底层形成工序之后且所述电镀工序之前，所述槽及所述凹部的JISB0601规定的粗糙度曲线要素的平均长度RSm比所述槽及所述凹部以外的区域的JISB0601规定的粗糙度曲线要素的平均长度RSm小。

9.如权利要求1所述的配线及层间连接通孔的形成方法，其特征在于，所述底层形成工序之后且所述电镀工序之前，所述槽及所述凹部的JISB0601规定的算术平均粗糙度Ra为所述槽及所述凹部以外的区域的JISB0601规定的算术平均粗糙度Ra的10倍以上；所述槽及所述凹部的JISB0601规定的粗糙度曲线要素的平均长度RSm为所述槽及所述凹部以外的区域的JISB0601规定的粗糙度曲线要素的平均长度RSm的1/10倍以下。

10.如权利要求1所述的配线及层间连接通孔的形成方法，其特征在于，所述底层形成工序之后且所述电镀工序之前，所述槽及所述凹部的JISB0601规定的算术平均粗糙度Ra为0.01～4μm，所述槽及所述凹部的JISB0601规定的粗糙度曲线要素的平均长度RSm为0.005～8μm。

11.如权利要求1所述的配线及层间连接通孔的形成方法，其特征在于，所述槽及凹部形成工序中，在所述基板上同时形成所述槽和所述凹部。

12.如权利要求1所述的配线及层间连接通孔的形成方法，其特征在于，所述槽和所述凹部通过光刻法、激光照射法、纳米压印法的任一方法形成。