[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200810211186.X | 申请日： | 2008-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN101378077A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 松木武雄;鸟居和功 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有绝缘栅极场效应晶体管的半导体器件，其中所述绝缘栅极场效应晶体管具有：
包括高-k介电膜的栅极绝缘膜；以及
具有叠层结构的栅极电极，该叠层结构包括第一导电层和具有比所述第一导电层的电阻率低的电阻率的第二导电层，并且
所述第一导电层提供在所述高-k介电膜上并与其接触，且包括具有5g/cm3或以上的密度的氮化钛。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中所述第一导电层包括具有5.5g/cm3或以上的密度的氮化钛。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中所述第一导电层包括{100}取向的氮化钛。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中所述第二导电层包括金属。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中所述第二导电层包括钨或钼。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中所述第二导电层具有包括硅化物层和n型或p型多晶硅层的叠层结构。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，
其中所述硅化物层是至少包括Ni和Si的硅化物层。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中所述高-k介电膜包括选自氮氧化硅、氮氧化铪硅、硅化铪、二氧化铪、氮氧化锆硅、硅化锆、氧化锆、铝酸铪、氧化镧、氧化铝、二氧化铈、氧化钇和氧化钆中的至少一种材料。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，
其中所述高-k介电膜包括含有铪的氧化物。
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