[发明专利]多芯片模块及应用于多芯片模块的结合垫共用方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种多芯片模块(Multi-chip Module，MCM)，尤其 是关于具有第一裸晶利用第二裸晶的选择衬垫以用于结合选件 (Bonding Options)的多芯片模块及相关方法。

背景技术

在集成电路设计中，结合选件技术提供可选择性地致能 (Enabling)集成电路的部分功能来选择集成电路中的不同应用。通 常，选择衬垫是连接至一高电压电位(供应电源电压)或是连接至一 低电压电位(接地电压)来实现功能选择。例如，依据提供至闪存裸 晶(Flash Die)的选择衬垫的电压电位，闪存裸晶是可被设置于引导 扇区的顶部模式(Top Mode)或者底部模式(Bottom Mode)。

因为选择衬垫所占用的面积是大于芯片所占用的面积，如何减 少选择衬垫的数目以达到减少封装尺寸已成为领域中的重要问题。

发明内容

为解决以上存在的技术问题，特提供以下技术方案：

本发明揭示一种多芯片模块，包含：第一裸晶与第二裸晶。第 一裸晶支持多个预定的功能；第二裸晶耦接第一裸晶，包含用于结 合选件技术的至少一选择衬垫；其中，所述结合选件技术使得第一 裸晶依据第二裸晶的至少一选择衬垫的结合状态来选择性地执行 多个预定的功能中的一个。

本发明还揭示一种选择衬垫共用方法，应用于多芯片模块，其 特征在于，所述选择衬垫共用方法包含：使多芯片模块具有第一裸 晶与第二裸晶，其中第一裸晶支持多个预定的功能，第二裸晶耦接 至第一裸晶，所述第二裸晶包含为结合选件技术所设定的至少一选 择衬垫；以及所述结合选件技术使第一裸晶依据第二裸晶的至少一 选择衬垫的结合状态选择性地执行多个预定的功能中的一个，以实 现所述第一裸晶与所述第二裸晶共用所述选择衬垫。

第一裸晶利用第二裸晶的选择衬垫，进而减少多芯片模块中选 择衬垫的数目，使得多芯片模块可具有更多的信号衬垫以供使用， 也可减小第一裸晶的尺寸大小。

附图说明

图1是例示本发明提供实施例多芯片模块的示意图。

图2是例示将图1所示的多芯片模块设置于一封装中的示意 图。

具体实施方式

在说明书及权利有要求书当中使用了某些词汇来指称特定的 元件。所属领域中具有通常知识者应可理解，硬件制造商可能会用 不同的名词来称呼同样的组件。本说明书及权利有要求书并不以名 称的差异来作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异来作 为区分的准则。在通篇说明书及后续的请求项当中所提及的“包含” 是为一开放式的用语，故应解释成“包含但不限定于”。另外，“耦 接”一词在此包含任何直接及间接的电气连接方式。因此，若文中 描述第一装置耦接于第二装置，则代表第一装置可直接电气连接于 该第二装置，或通过其它装置或连接方式间接地电气连接至第二装 置。

请参阅图1，图1是例示本发明提供实施例多芯片模块的示意 图。多芯片模块100包括一第一裸晶110与一第二裸晶120。第一 裸晶110与第二裸晶120分别包含用于传递信号的多个信号衬垫 112与多个信号衬垫122。第一裸晶110的多个信号衬垫112与第 二裸晶120的多个信号衬垫122是通过多个焊线130相连接，以使 第一裸晶110能够与第二裸晶120进行通信。以下将对多芯片模块 100作详细说明。

在本实施例中，第一裸晶110是包含一处理器核心(图未示)的 核心裸晶，处理器核心例如：进阶精简指令集机器(Advanced RISC  Machine，ARM)、数字信号处理器、微处理器等。第二裸晶120为 一存储器裸晶，例如：闪存裸晶、动态随机存储器裸晶等。第二裸 晶120包含一选择衬垫124。选择衬垫124的结合状态决定第二裸 晶120所处模式。

请参阅图2，图2是例示将图1所示的多芯片模块100设置于 一封装200中的示意图。以第二裸晶120是为一快闪裸晶来举例说 明，如图2中(a)所示，第二裸晶120的选择衬垫124是连接至供应 电源电压VDD，则第二裸晶120是被设置处于顶部模式中。如图2 中(b)所示，第二裸晶120的选择衬垫124是连接至接地电压GND， 则第二裸晶120是被设置处于底部模式中。