[发明专利]PTC器件、保护电路模块和二次电池有效
申请号: | 200810211413.9 | 申请日: | 2008-09-22 |
公开(公告)号: | CN101430956A | 公开(公告)日: | 2009-05-13 |
发明(设计)人: | 张营喆;徐镜源;卞正德 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01C7/02 | 分类号: | H01C7/02;H01M2/34;H01M10/42 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人: | 罗正云;王诚华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | ptc 器件 保护 电路 模块 二次 电池 | ||
1.一种正温度系数PTC器件,包括:
PTC主体;
接触所述PTC主体的上表面的导电层;
接触所述PTC主体的下表面的导电板;和
在所述导电板中形成的支撑部分,其中,从所述PTC主体的下表面到所述 支撑部分的上端的高度与从所述PTC主体的下表面到所述导电层的上表面的高 度相同,
其中,所述导电板包括:在其中放置有所述PTC主体的低端板;在其中形 成有所述支撑部分的高端板;和以台阶方式连接所述低端板与所述高端板的连 接部分,并且
所述支撑部分通过将所述高端板的一端弯曲而形成。
2.根据权利要求1所述的PTC器件,其中,所述支撑部分是实体件。
3.根据权利要求2所述的PTC器件,其中,所述实体件通过槽形成为多段。
4.根据权利要求1所述的PTC器件,其中,所述支撑部分包括多个支撑件。
5.根据权利要求4所述的PTC器件,其中,所述支撑件为半圆形。
6.根据权利要求1所述的PTC器件,其中,在所述高端板的两侧形成有凹 进部分。
7.根据权利要求1所述的PTC器件,其中,所述导电层是由镍或镍合金形 成的板。
8.一种用于二次电池的保护电路模块PCM,包括:
电路板主体;
安装在所述电路板主体中的导电图案;和
PTC器件,包括:PTC主体;接触所述PTC主体的上表面且电连接到所述 导电图案上的导电层;接触所述PTC主体的下表面的导电板;和在所述导电板 中形成的支撑部分,其中,从所述PTC主体的下表面到所述支撑部分的上端的 高度与从所述PTC主体的下表面到所述导电层的上表面的高度相同,其中,所 述导电板包括:在其中放置有所述PTC主体的低端板;在其中形成有所述支撑 部分的高端板;和以台阶方式连接所述低端板与所述高端板的连接部分,并且 所述支撑部分通过将所述高端板的一端弯曲而形成。
9.根据权利要求8所述的保护电路模块PCM,其中,在所述电路板主体的 接触所述支撑部分的下表面上涂覆有粘合剂。
10.根据权利要求9所述的保护电路模块PCM,其中,所述粘合剂是热塑 性或热固性的粘合剂。
11.根据权利要求8所述的保护电路模块PCM,其中,在所述电路板主体 的与所述高端板重叠的区域中形成有焊接孔。
12.一种二次电池,包括:
裸电池;
电连接到所述裸电池的盖组件;和
电连接到所述裸电池上的保护电路模块PCM,
其中,所述保护电路模块PCM包括:
电路板主体;
安装在所述电路板主体中的导电图案;和
正温度系数PTC器件,其包括:PTC主体;接触所述PTC主体的上表面且 被电连接到所述导电图案上的导电层;接触所述PTC主体的下表面的导电板; 和在所述导电板中形成的支撑部分,其中,从所述PTC主体的下表面到所述支 撑部分的上端的高度与从所述PTC主体的下表面到所述导电层的上表面的高度 相同,而且所述裸电池的一个端子被电连接到所述导电板上,其中,所述导电 板包括:在其中放置有所述PTC主体的低端板;在其中形成有所述支撑部分的 高端板;和以台阶方式连接所述低端板与所述高端板的连接部分,并且所述支 撑部分通过将所述高端板的一端弯曲而形成。
13.根据权利要求12所述的二次电池,其中,所述裸电池的所述一个端子 是电极端子,
其中,在所述电路板主体的与所述电极端子重叠的区域中形成有焊接孔,所 述电极端子和所述导电板在所述高端板的与所述焊接孔重叠的区域中结合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星SDI株式会社,未经三星SDI株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810211413.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:晶片键合装置及方法
- 下一篇:光学信息记录再现的方法和装置