[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

沟槽，在半导体衬底的隔离区中，所述沟槽具有预定的深度；

衬垫氧化层，在所述沟槽外部的所述半导体衬底上；

热氧化层，在所述沟槽的内侧壁上；

氮化层，在所述沟槽内覆盖所述热氧化层；

隔离层，填充所述沟槽；以及

隔离件，覆盖所述热氧化层的最上表面。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述隔离件包括：

钝化层，与所述氮化层的最上表面接触。

3.根据权利要求2所述的器件，其中，所述钝化层包含氮化硅。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述隔离层包含高密度等离子氧化物。

5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述衬垫氧化层与所述热氧化层的侧表面相接触。

6.根据权利要求5所述的器件，其中，所述衬垫氧化层在所述隔离件下方。

7.根据权利要求6所述的器件，其中，所述衬垫氧化层具有与隔离件边缘排成直线的侧壁。

8.一种制造半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底的整个表面上方形成衬垫氧化层；

去除在所述半导体器件的隔离区中的一部分所述衬垫氧化层和一部分所述半导体衬底以在所述半导体衬底中形成具有预定深度的沟槽；

在所述沟槽的内侧壁上形成热氧化层；

用氮化层覆盖所述沟槽中的所述热氧化层；

用隔离层填充所述沟槽；

通过化学机械抛光去除一部分所述隔离层以暴露所述氮化层；

去除所述衬垫氧化层上方的所述氮化层；

在所述衬底的整个表面上方形成钝化层；以及

蚀刻所述钝化层以形成覆盖所述沟槽外部的所述热氧化层的隔离件。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述钝化层包含氮化硅。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，去除所述氮化层包括湿蚀刻。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，去除所述氮化层包括干蚀刻。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，蚀刻所述钝化层包括干蚀刻。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，所述隔离件包括：

钝化层，在所述半导体衬底上方，与所述热氧化层的侧表面接触。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述钝化层包括氮化硅。

15.根据权利要求8所述的方法，更进一步包括，去除在去除所述氮化层之后被暴露的所述衬垫氧化层，在所述隔离件之下留下一部分所述衬垫氧化层。

16.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述热氧化层包括使所述沟槽的表面遭受牺牲氧化工艺。

17.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述热氧化层包括热氧化所述沟槽的所述侧壁表面。

18.根据权利要求8所述方法，更进一步包括：

在用所述隔离层填充所述沟槽之后对所述半导体衬底实施退火。

19.根据权利要求8所述方法，其中，在用所述隔离层填充所述沟槽之前，所述氮化层覆盖包括所述衬垫氧化层的所述半导体衬底的整个表面。

20.根据权利要求8所述的方法，其中，去除所述隔离层的所述部分暴露了在所述沟槽外部的所述氮化层。