[发明专利]掩膜表面化学处理方法及系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种掩膜表面化学处理方法及系统，特别是涉及一种新式的掩膜表面化学减量处理方法。

背景技术

制备掩膜的过程中会引发不同种类，且难以移除的掩膜污染物，例如化学污染物。而目前的清洁方法多半不能有效地移除这些污染物，甚至还会进一步损坏掩膜，特别是形成在掩膜表面，材质为硅化钼或铬的图案化吸收材质层。

因此需要提供一种新式的掩膜表面化学减量处理方法，来有效移除掩膜污染物。

由此可见，上述现有的掩膜表面化学处理方法及系统在方法以及使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般方法及产品又没有适切的方法及结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的掩膜表面化学处理方法及系统，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。

有鉴于上述现有的掩膜表面化学处理方法及系统存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的掩膜表面化学处理方法及系统，能够改进一般现有的掩膜表面化学处理方法及系统，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

本发明的主要目的在于，克服现有的掩膜表面化学处理方法及系统存在的缺陷，而提供一种新的掩膜表面化学处理方法及系统，所要解决的技术问题是使其具有清洁掩膜以减少掩膜上残留的具有不同化学键结强度的化学残余物的效果，非常适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种掩膜表面化学处理方法其包括以下步骤：在一掩膜上形成一吸收材质层；在形成该吸收材质层后，对该掩膜进行一等离子体处理以减少化学污染物；对该掩膜进行一化学清洗过程；以及对该掩膜进行一气体喷射过程。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的掩膜表面化学处理方法及系统，其中所述的吸收材质层，包括一个含有铬以及硅化钼(MoSi)至少一者的材质层。

前述的掩膜表面化学处理方法及系统，其中所述的吸收材质层，包括图案化该吸收材质层。

前述的掩膜表面化学处理方法及系统，其更包括在一真空环境中，对该掩膜进行一辐射处理，其中该辐射处理包括进行紫外光照射以及激光照射至少一种。

前述的掩膜表面化学处理方法及系统，其更包括对该掩膜进行加热，将温度范围升高至实质介于150℃至350℃之间。

前述的掩膜表面化学处理方法及系统，其中所述的等离子体处理，包括采用选自于由氧气、氮气、氩气、氢气以及上述任意组合所组成的等离子体元素族群。

前述的掩膜表面化学处理方法及系统，其中所述的气体喷射过程的实施，包括采用选自于由氮气、氩气以及上述任意组合所组合的气体族群。

前述的掩膜表面化学处理方法及系统，其中所述的化学清洗过程的实施，包括使用包含有氢氧化铵、双氧水以及水的溶液。

本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种掩膜表面化学处理系统，其特征在于：一掩膜台用来固定一掩膜，使该掩膜面朝下；一化学分注器，用来提供至少一化学品，以清洗该掩膜；一等离子体模组，用来对该掩膜进行一等离子体处理，以移除污染物；以及一温度控制模组，用来控制该掩膜的温度。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的掩膜表面化学处理方法及系统，其更包括一辐射模组，用来对该掩膜进行一辐射处理；以及一气体喷射模组，用来对该掩膜喷射一气体。

本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，本发明的主要技术内容如下：

为达到上述目的，本发明提供了一种掩膜表面化学处理方法，包括下述步骤：首先在掩膜上形成吸收材质层。再对掩膜进行等离子体处理以减少化学污染物。接着对掩膜进行化学清洗过程。然后对掩膜进行气体喷射过程。

此外，为了达到上述目的，本发明还提供了一种掩膜表面化学处理系统，包括用来固定掩膜，使此一罩可幕面朝下的掩膜台；用来提供至少一种化学品，以清洗该掩膜的化学分注器；用来对掩膜进行等离子体处理，以移除污染物的等离子体模组；以及用来控制掩膜温度的温度控制模组。