[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
申请号: | 200810211944.8 | 申请日: | 2008-09-11 |
公开(公告)号: | CN101673790A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 林昇柏;陈滨全;张超雄;陈建民 | 申请(专利权)人: | 先进开发光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L23/498;H01L23/36;H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
1、一种发光二极管,包含:
一陶瓷基板,包含两个贯通孔,经导电膏材料填孔后用以导通陶瓷基板上下层的金属线路;
一金属结构,位于该陶瓷基板两侧,并且该陶瓷基板两侧的该金属结构分别具有一第一开口与一第二开口,其中该金属结构包含一铜箔与一金属层,并且该铜箔位于该陶瓷基板与该金属层之间;
一裸片,位于该金属结构上;
一导线,该导线横跨该第一开口以分别连结于该裸片与金属结构;以及
一封装结构,覆盖该裸片。
2.一种发光二极管,包含:
一陶瓷基板,包含两个贯通孔,经导电膏材料填孔后用以导通陶瓷基板上下层的金属线路;
一金属结构,位于该陶瓷基板两侧,并且该陶瓷基板两侧的该金属结构分别具有一第一开口与一第二开口,其中该金属结构包含一铜箔与一金属层,并且该铜箔位于该陶瓷基板与该金属层之间;
一裸片,该裸片通过一第一金属粒与一第二金属粒连结于该金属结构,并且该第一金属粒与该第二金属粒分别位于该第一开口的两侧;以及
一封装结构,覆盖该裸片。
3.根据权利要求1或2的发光二极管,其中上述的陶瓷基板可为具高导热性的氧化铝、氮化铝等材料,以及其中上述的金属层包含下列之一及其组合:镍、金、银。
4.根据权利要求1或2的发光二极管,还包含分别位于所述两个贯通孔中的导电膏材料,并且该导电膏材料中含有金属粒子,且该导电膏材料包含银、金、铝、铜、铬、镍之一,或其合金的金属导电材料,以及其中上述的封装结构包含下列之一及其组合:环氧化物、聚硅氧烷树脂或硅胶、丙烯酸、二氧化钛、二氧化硅。
5.一种发光二极管制造方法,包含:
提供一陶瓷基板;
形成一铜箔于该陶瓷基板的两侧;
形成两个贯通孔以贯穿该陶瓷基板与该铜箔,其中所述两个贯通孔经导电膏材料填孔后用以导通陶瓷基板上下层的金属线路;
形成一第一开口与一第二开口于该铜箔;
形成一金属层于该铜箔上;
粘着一裸片于该金属层上;
通过一导线连结该裸片与该金属层,其中该导线连结于该裸片与该金属层的接点分别位于该第一开口的两侧;以及
形成一封装结构以覆盖该裸片。
6.一种发光二极管制造方法,包含:
提供一陶瓷基板;
形成一铜箔于该陶瓷基板的两侧;
形成两个贯通孔以贯穿该陶瓷基板与该铜箔,其中所述两个贯通孔经导电膏材料填孔后用以导通陶瓷基板上下层的金属线路;
形成一第一开口与一第二开口于该铜箔;
形成一金属层于该铜箔上;
通过一第一金属粒与一第二金属粒以覆晶技术焊接该裸片与该金属层,其中该第一金属粒与该第二金属粒分别位于该第一开口的两侧;以及
形成一封装结构以覆盖该裸片。
7.根据权利要求5或6的发光二极管制造方法,其中上述的两个贯通孔以机械钻孔技术或激光钻孔技术形成。
8.根据权利要求5或6的发光二极管制造方法,其中上述的铜箔以高温热压合技术热煅烧于该陶瓷基板。
9.根据权利要求7或8的发光二极管制造方法,其中上述的金属层以电解电镀或化学电镀方式形成于该铜箔上,以及其中上述的金属层包含下列之一及其组合:镍、金、银。
10.根据权利要求7或8的发光二极管制造方法,其中上述的第一开口与该第二开口以黄光光刻工艺形成。
11.根据权利要求7或8的发光二极管制造方法,其中上述的封装结构以转注成形或射出成形方式形成,且该封装结构包含下列之一及其组合:环氧化物、聚硅氧烷树脂或硅胶、丙烯酸、二氧化钛、二氧化硅。
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