[发明专利]电压产生电路无效
申请号: | 200810212043.0 | 申请日: | 2008-09-12 |
公开(公告)号: | CN101388201A | 公开(公告)日: | 2009-03-18 |
发明(设计)人: | 小岛友和 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36;H03K17/08;H03F3/45 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人: | 罗正云;王 琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 产生 电路 | ||
1、一种电压产生电路,包括:
电压变换部,对基准电压进行电压变换;和
输出部,对所述电压变换部的输出电压进行阻抗变换,
所述电压变换部和所述输出部各自连接有低电压端电源和高电压端电源,
所述输出部的所述高电压端电源的电压电平被设置为高于所述电压变换部的所述高电压端电源的电压电平。
2、根据权利要求1所述的电压产生电路,其中,所述输出部进一步包括以所述电压变换部的所述高电压端电源电压为基准对阻抗变换后的所述输出电压进行电压限制的耐压控制部。
3、根据权利要求2所述的电压产生电路,其中,所述耐压控制部是下列之中的任意一个:
二极管,包括阴极,所述电压变换部的高电压端电源电压被提供给所述阴极;
双极晶体管,包括发射极和基极,所述发射极和所述基极彼此短路,所述电压变换部的高电压端电源电压被提供给所述基极;
MOS晶体管,包括源极和栅极,所述源极和所述栅极彼此短路,所述电压变换部的高电压端电源电压被提供给所述栅极。
4、根据权利要求3所述的电压产生电路,其中,
所述MOS晶体管包括N阱和P阱,
所述电压变换部的高电压端电源电压被提供给所述N阱,并且所述输出部的低电压端电源电压被提供给所述P阱,以使所述MOS晶体管的绝缘耐压被设置为等于或低于所述电压变换部的绝缘耐压或者所述输出部的绝缘耐压。
5、根据权利要求3所述的电压产生电路,其中,所述电压变换部为差分放大电路。
6、根据权利要求3所述的电压产生电路,其中,所述输出部为源跟随器。
7、根据权利要求1所述的电压产生电路,其中,所述电压变换部包括:
运算放大器,具有输入端和输出端,所述基准电压被输入到所述输入端;
可变电阻,与所述输出端相连;和
控制部,控制所述运算放大器,
所述运算放大器根据所述控制部的控制形成电压跟随器结构,将该运算放大器的输出电压通过所述可变电阻进行分压后输出。
8、根据权利要求7所述的电压产生电路,其中,所述可变电阻包括:
多个彼此串联连接的电阻;和
电阻切换开关,分别设置在相邻的所述电阻间的连接点与所述输出端之间,
所述电阻切换开关根据所述控制部的控制而导通和断开。
9、根据权利要求1所述的电压产生电路,其中,所述电压变换部包括:
运算放大器,具有输入端、反相输入端和输出端,所述基准电压被输入到所述输入端;
可变电阻,分别与所述输出端和接地相连;和
控制部,控制所述运算放大器,
所述运算放大器被构成为非反相放大器,
所述可变电阻具有多个与所述反相输入端相连的电阻分割点,并且根据所述控制部的控制使所述电阻分割点可变。
10、根据权利要求9所述的电压产生电路,其中,所述可变电阻包括:
多个彼此串联连接的电阻;和
电阻切换开关,分别设置在相邻的所述电阻间的连接点与所述输出端之间,
所述电阻切换开关根据所述控制部的控制而导通和断开。
11、根据权利要求1所述的电压产生电路,其中,所述电压变换部包括:
运算放大器,具有输入端、反相输入端和输出端,所述基准电压被输入到所述输入端;
可变电阻,分别与所述输入端和所述输出端相连;和
控制部,控制所述运算放大器,
所述运算放大器被构成为反相放大器,
所述可变电阻具有多个与所述反相输入端相连的电阻分割点,并且根据所述控制部的控制使所述电阻分割点可变。
12、根据权利要求11所述的电压产生电路,其中,所述可变电阻包括:
多个彼此串联连接的电阻;和
电阻切换开关,分别设置在相邻的所述电阻间的连接点与所述输出端之间,
所述电阻切换开关根据所述控制部的控制而导通和断开。
13、根据权利要求1所述的电压产生电路,其中,所述电压变换部为差分放大电路。
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