[发明专利]掺杂离子形成具有薄膜的基板结构制造方法及其基板结构

权利要求书

1.一种具有薄膜的基板结构制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供一目标基板；

提供一原始基板，其含有具有吸附氢离子功效的一掺杂元素；

形成一脆化层于该原始基板上，其中该脆化层为一含锗元素层；

形成一元件层于该脆化层上；

掺杂氢离子，将其添入该脆化层；

键合该元件层及该目标基板；以及

分离该元件层及该原始基板，其是藉由输入一能量处理使该脆化层碎 裂进行分离。

2.根据权利要求1所述的具有薄膜的基板结构制造方法，其特征在于 其中所述的目标基板为一硅基板、一蓝宝石基板、一玻璃基板、一石英基 板或一三五族材料基板。

3.根据权利要求1所述的具有薄膜的基板结构制造方法，其特征在于 其中所述的目标基板的一拟键合表面是形成有一绝缘层或多数层绝缘层。

4.根据权利要求3所述的具有薄膜的基板结构制造方法，其特征在于 其中所述的绝缘层为一氧化硅层、一氮化硅层、一氮氧化硅层、一氮碳化 硅层、一低介电系数电介质层、一钻石层、一类钻石碳层、一氢氧化硅碳 层或一二氧化铪层。

5.根据权利要求1所述的具有薄膜的基板结构制造方法，其特征在于 其中所述的掺杂元素为硼原子、碳原子、镓原子或其组合物。

6.根据权利要求1所述的具有薄膜的基板结构制造方法，其特征在于 其中所述的掺杂元素的浓度是大于等于10¹⁴/cm³。

7.根据权利要求1所述的具有薄膜的基板结构制造方法，其特征在于 其中所述的原始基板的材质为第四族材料、四四族材料、三五族材料或二 六族材料。

8.根据权利要求7所述的具有薄膜的基板结构制造方法，其特征在于 其中所述的原始基板为一硅基板、一锗基板、一碳化硅基板、一锗化硅基 板、一砷化镓基板、一磷化铟基板、一磷化镓基板、一氮化铝基板或一氮 化镓基板。

9.根据权利要求1所述的具有薄膜的基板结构制造方法，其特征在于 其中所述的脆化层为一硅-锗层或一硅-锗-碳层。

10.根据权利要求9所述的具有薄膜的基板结构制造方法，其特征在于 其中所述的脆化层的锗浓度原子百分比为1％-20％。

11.根据权利要求9所述的具有薄膜的基板结构制造方法，其特征在于 其中所述的硅-锗-碳层的碳浓度原子百分比为0.01％-3％。

12.根据权利要求1所述的具有薄膜的基板结构制造方法，其特征在于 其中所述的元件层为一单晶薄膜层或一应变薄膜层。

13.根据权利要求1所述的具有薄膜的基板结构制造方法，其特征在于 其中所述的元件层为一单晶硅层、一应变硅层或一硅-锗层。

14.根据权利要求1所述的具有薄膜的基板结构制造方法，其特征在于 其中所述的掺杂氢离子步骤是藉由一离子浴式技术、一离子扩散技术或一 离子布植技术进行掺杂。

15.根据权利要求1所述的具有薄膜的基板结构制造方法，其特征在于 其中所述的能量处理为一热处理、一微波处理或一热力微波处理。