[发明专利]电容结构有效
| 申请号： | 200810212161.1 | 申请日： | 2008-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101465385A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 杨明宗 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L27/02;H01L27/06;H01L27/08;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 葛 强;张一军 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容 结构 | ||
1.一种电容结构，包括：
多个第一导线，平行设置于基底的导电层中，上述多个第一导线 彼此分离且分为第一电极群组与第二电极群组，上述第一电极群组的 第一导线与上述第二电极群组的第一导线是交替设置的；
绝缘层，形成于上述多个第一导线上并填入上述多个第一导线间 的区域；
第二导线，形成于上述绝缘层上并电性连接于上述第一电极群组 的第一导线；以及
第三导线，形成于上述绝缘层上并电性连接于上述第二电极群组 的第一导线。
2.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，更包括一个或 多个过孔插栓，形成于上述绝缘层中，分别对应上述多个第一导线。
3.如权利要求2所述的电容结构，其特征在于，上述第二导线 与上述第三导线分别经由上述多个过孔插栓电性连接于上述第一电极 群组的第一导线与上述第二电极群组的第一导线。
4.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，更包括第四导 线，设置于上述导电层中，围绕上述多个第一导线。
5.如权利要求4所述的电容结构，其特征在于，上述第四导线 电性连接于上述基底。
6.如权利要求1所述的电容结构，其特征在于，更包括导电屏 蔽层，形成于上述导电层与上述基底之间。
7.如权利要求6所述的电容结构，其特征在于，上述导电屏蔽 层电性连接于上述第一电极群组与上述第二电极群组其中之一。
8.一种电容结构，包括：
多个第一导线，平行设置于基底上的导电层中，上述多个第一导 线在上述导电层中彼此分离且分为第一电极群组与第二电极群组，上 述第一电极群组的第一导线与上述第二电极群组的第一导线是交替设 置的；
第二导线，设置于上述导电层中，以第一方向延伸，电性连接于 上述第一电极群组的第一导线，同时以第二方向延伸，与第一电极群 组的第一导线的另一端距离特定的距离；
绝缘层，形成于上述多个第一导线与上述第二导线上并填入上述 多个第一导线间的区域；
第三导线，形成于上述绝缘层上并电性连接于上述第二电极群组 的第一导线；以及
第四导线，形成于上述绝缘层上并电性连接于上述第一电极群组 的第一导线。
9.如权利要求8所述的电容结构，其特征在于，更包括一个或 多个过孔插栓，形成于上述绝缘层中，分别对应上述多个第一导线。
10.如权利要求9所述的电容结构，其特征在于，上述第三导线 是通过上述多个过孔插栓电性连接于上述第二电极群组的第一导线。
11.如权利要求10所述的电容结构，其特征在于，更包括第四导 线，设置于上述导电层中，围绕上述多个第一导线。
12.如权利要求11所述的电容结构，其特征在于，上述第四导线 电性连接于上述基底。
13.如权利要求8所述的电容结构，其特征在于，更包括导电屏 蔽层，形成于上述导电层与上述基底之间。
14.如权利要求13所述的电容结构，其特征在于，上述导电屏蔽 层是电性连接于上述第一电极群组与上述第二电极群组其中之一。
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