[发明专利]三基色场发射荧光粉及显示器的制造无效
申请号: | 200810212176.8 | 申请日: | 2008-09-10 |
公开(公告)号: | CN101350379A | 公开(公告)日: | 2009-01-21 |
发明(设计)人: | 索辛纳姆;罗维鸿;蔡绮睿 | 申请(专利权)人: | 罗维鸿;孙卓 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12;H01L29/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200231上海市徐*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基色 发射 荧光粉 显示器 制造 | ||
1.一种全色系红绿蓝纳米碳管场发射显示屏,其具有一阴极板、三个分隔开的阴极电致发光荧光屏及一阳极板,且该阳极板的光栅极电极上附着有一透明的氧化物薄膜,从该阴极板的光栅极电极上所发射的电子源撞击该阴极电致发光荧光屏,在该阴极板和阳极板之间空隙的电场变化情况下,其特征在于:该阴极电致发光荧光屏是用可被激活的稀土元素制成的,确保了在电子束激发下,该荧光屏发光亮度的稳定性及均匀性,其中
使用下列配方作为红色辐射阴极荧光粉:Y2-x-y-zScxInyEuzO3,其中:x=0.001~0.1,y=0.001~0.1,z=0.001~0.1;
使用下列配方作为绿色辐射阴极荧光粉:Y2-x-y-zScxTbyCezSi1-pSnpO5,其中:x=0.001~0.1,y=0.001~0.1,z=0.001~0.1,p=0.001~0.1;
使用下列配方作为蓝色辐射阴极荧光粉:Y2-x-y-zScxGdyCezSi1-pSnpO5,其中:x=0.001~0.1,y=0.001~0.1,z=0.001~0.1,p=0.001~0.1。
2.如权利要求1所述的全色系红绿蓝纳米碳管场发射显示屏,其中该稀土元素为钇。
3.如权利要求1所述的全色系红绿蓝纳米碳管场发射显示屏,其中该电子束的能量为E>400伏。
4.如权利要求1所述的全色系红绿蓝纳米碳管场发射显示屏,其中该阴极荧光粉颗粒的中位线粒径为d50<1微米时,其密度值为ρ≤5g/cm3。
5.如权利要求1所述的全色系红绿蓝纳米碳管场发射显示屏,其中该荧光屏上的每一单元中覆盖呈分散的圆形或椭圆形形状的阴极电致发光荧光粉,其中该每一单元的尺寸为:d=0.1~0.25mm。
6.如权利要求1所述的全色系红绿蓝纳米碳管场发射显示屏,其中在各单色显示线条之间是由互相隔开的由氧化铬组成的致密吸收光层组成。
7.如权利要求1所述的全色系红绿蓝纳米碳管场发射显示屏,其中该阴极板上进一步具有一镀银表层,且该镀银表层系以纳米碳管为电子发射层的形式进行封装。
8.如权利要求1所述的全色系红绿蓝纳米碳管场发射显示屏,其中该透明的氧化物薄膜为SnO2薄膜和/或InO3薄膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的