[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于其包括：

一半导体基材；

一第一高电压掺杂井区，位于该半导体基材上，且具有一第一电性；

一第二高电压掺杂井区，位于该半导体基材上，且具有与该第一电性相反的一第二电性，并横向地邻接该第一高电压掺杂井区；

一栅介电层，从该第一高电压掺杂井区上方延伸至该第二高电压掺杂井区上方；

一栅极，位于该栅介电层上方；

一漏极区，位于该第二高电压掺杂井区之中；

一源极区，位于该栅介电层的一侧，且与该漏极区反向相对；

一深掺杂p型井区，位于该第二高电压掺杂井区下方，且具有该第一电性，其中该深掺杂p型井区实质上并未直接地形成在该漏极区的正下方；

一第三高电压掺杂井区，具有该第二电性，位于该第一高电压掺杂井区的反面一侧，并与该第二高电压掺杂井区反向相对，其中该第三高电压掺杂井区具有与该第一高电压掺杂井区相同的一厚度，且该源极区是位于该第三高电压井区之中；以及

一附加的深掺杂p型井区，具有该第一电性，位于该第三高电压掺杂井区下方，其中该深掺杂p型井区以及该附加的深掺杂p型井区位于相同的高度，且具有相同的厚度，其中该附加的深掺杂p型井区并未直接地形成于该源极区的正下方。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中所述的第一电性是一p型电性，且该第二电性是一n型电性。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其中所述的深掺杂p型井区与形成于该第一高电压掺杂井区和该第二高电压掺杂井区之间的一介面相互分离。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其更包括一埋藏层，具有该第二电性，其中该埋藏层位于该半导体基材上方，且位于该第一高电压掺杂井区、该第二高电压掺杂井区以及该深掺杂p型井区的下方。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于其更包括一埋藏层，位于该半导体基材上方，其中该深掺杂p型井区包括两个彼此分离的部分，借由该第二高电压掺杂井区的一部分来隔离，其中该第二高电压掺杂井区直接位于该漏极区的正下方。

6.一种半导体结构，其特征在于其包括：

一半导体基材；

一高电压p型掺杂井区，位于该半导体基材上；

一高电压n型掺杂井区，位于该半导体基材上，其中该高电压p型掺杂井区和该高电压n型掺杂井区是横向地接触，并且形成一介面；

一隔离区，由该高电压n型掺杂井区的上表面延伸进入该高电压n型掺杂井区之中；

一栅介电层，由该高电压p型掺杂井区上方延伸至该隔离区上方；

一栅极，位于该栅介电层上方；

一源极区，位于该高电压p型掺杂井区之中；

一漏极区，位于该高电压n型掺杂井区之中，其中该源极区和该漏极区皆重掺杂有n型掺质；以及

一深掺杂p型井区，具有彼此水平分隔的一第一部分和一第二部分，且该第一部分和该第二部分皆位于该高电压n型掺杂井区下方。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于其中所述的深掺杂p型井区并未直接位于该漏极区的正下方。

8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于其中所述的深掺杂p型井区的该第一部分，至少有一部分直接位于该隔离区的正下方，且该第一部分与该介面彼此分离。

9.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于其中所述的第一部分是垂直地对准该介面。

10.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于其更包括一附加的高电压p型掺杂井区，邻接于该高电压n型掺杂井区，位于该高电压n型掺杂井区的一侧，且与该高电压p型掺杂井区反向相对，该深掺杂p型井区的该第一部分水平地位于该第二部分与一附加介面之间，其中该附加介面是位于该高电压n型掺杂井区与该高电压p型掺杂井区之间。

11.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于其中所述的深掺杂p型井区的该第一部分与该第二部分是借由一部分的该高电压n型掺杂井区使其二者分离。

12.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于其更包括一n型埋藏层，其中该n型埋藏层位于该半导体基材上方，且位于该高电压n型掺杂井区、该高电压p型掺杂井区以及该深掺杂p型井区的下方。