[发明专利]激光二极管用外延晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 200810212432.3 | 申请日： | 2008-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN101425658A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 黑须健 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/323;C30B29/40;H01L21/205;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟 晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激光 二极 管用 外延 晶片 及其 制造 方法 | ||
1.激光二极管用外延晶片，其为具有双异质结构的化合物半导体外延晶片，即在n型GaAs衬底上依次至少层叠n型包覆层、活性层以及p型包覆层，并且所述n型包覆层、活性层以及p型包覆层均由AlGaInP系材料构成，其特征在于，所述由AlGaInP系材料构成的p型包覆层中的p型杂质为碳，所述p型包覆层中的载流子浓度在8.0×1017cm-3以上、1.5×1018cm-3以下的范围。
2.根据权利要求1所述的激光二极管用外延晶片，其特征在于，所述由AlGaInP系材料构成的n型包覆层中的n型杂质为硅。
3.激光二极管用外延晶片的制造方法，对被加热的n型GaAs衬底，供给必要的III族原料气体、V族原料气体、载流气体以及掺杂剂原料气体，在所述n型GaAs衬底上，至少生长具有n型包覆层、活性层以及p型包覆层的双异质结构的外延层，并且所述n型包覆层、活性层以及p型包覆层均由AlGaInP系材料构成，其特征在于，在生长所述由AlGaInP系材料构成的p型包覆层时，作为所述掺杂剂原料气体供给四溴化碳，使所述p型包覆层中的载流子浓度在8.0×1017cm-3以上、1.5×1018cm-3以下的范围。
4.根据权利要求3所述的激光二极管用外延晶片的制造方法，其特征在于，生长所述由AlGaInP系材料构成的n型包覆层时，作为所述掺杂剂原料气体，供给硅掺杂原料气体，向所述n型包覆层中掺杂硅。
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