[发明专利]显示装置以及显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种显示装置，包括：

栅电极；

所述栅电极上的栅极绝缘膜；

所述栅极绝缘膜上的具有沟道形成区的微晶半导体膜；

所述微晶半导体膜上的缓冲层；

所述缓冲层上的重叠于所述微晶半导体膜的所述沟道形成区的 区域中的沟道保护层；

所述沟道保护层及所述缓冲层上的源区及漏区；以及

所述源区及所述漏区上的源电极及漏电极，

其中在所述微晶半导体膜的所述沟道形成区中选择性地设置包 括赋予一种导电型的杂质元素的杂质区，并且

在所述微晶半导体膜的所述沟道形成区中的所述源电极及所述 漏电极之间设置所述杂质区。

2.一种显示装置，包括：

栅电极；

所述栅电极上的栅极绝缘膜；

所述栅极绝缘膜上的具有沟道形成区的微晶半导体膜；

重叠于所述微晶半导体膜的所述沟道形成区的区域中的沟道保 护层；

所述微晶半导体膜及所述沟道保护层上的缓冲层；

所述缓冲层上的源区及漏区；以及

所述源区及所述漏区上的源电极及漏电极，

其中，在所述微晶半导体膜的所述沟道形成区中选择性地设置包 括赋予一种导电型的杂质元素的杂质区，并且

在所述微晶半导体膜的所述沟道形成区中的所述源电极及所述 漏电极之间设置所述杂质区。

3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中所述赋予一种导 电型的杂质元素是赋予p型导电性的杂质元素。

4.根据权利要求1或2所述的显示装置，还包括电连接到所述 源电极或所述漏电极的像素电极。

5.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中所述缓冲层由非 晶半导体膜形成。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述缓冲层由包括氮 的非晶半导体膜形成。

7.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述缓冲层由包括氢 的非晶半导体膜形成。

8.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述缓冲层由包括氟、 氯、溴、或者碘的非晶半导体膜形成。

9.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述缓冲层是包括的 氮、碳、以及氧的总浓度为1×10²⁰atoms/cm³以上且1.5×10²¹atoms/cm³以下的非晶半导体膜。

10.一种显示装置的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成栅电极；

在所述栅电极上形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上形成微晶半导体膜，所述微晶半导体膜包括 沟道形成区；

在所述微晶半导体膜上形成缓冲层；

在所述缓冲层上的重叠于所述沟道形成区的区域中形成沟道保 护层；

在所述沟道保护层上形成源区及漏区；

在所述源区及所述漏区上形成源电极及漏电极；以及

通过以所述源电极及所述漏电极为掩模，经过所述缓冲层及所述 沟道保护层，对所述微晶半导体膜的所述沟道形成区选择性地添加赋 予一种导电型的杂质元素，来形成杂质区。

11.一种显示装置的制造方法，包括如下步骤：

在衬底上形成栅电极；

在所述栅电极上形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上形成微晶半导体膜，所述微晶半导体膜包括 沟道形成区；

在所述沟道形成区上形成沟道保护层；

在所述沟道保护层上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成源区及漏区；

在所述源区及所述漏区上形成源电极及漏电极；以及

通过以所述源电极及所述漏电极为掩模，经过所述沟道保护层， 对所述微晶半导体膜的所述沟道形成区选择性地添加赋予一种导电 型的杂质元素，来形成杂质区。