[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体发光器件

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体发光器件，所述III族氮化物半导体发光器件包括：

衬底；

在所述衬底上外延生长的缓冲层；

在所述缓冲层上外延生长的n型氮化物半导体层；

在所述n型氮化物半导体层上外延生长的有源层；

在所述有源层上外延生长的p型氮化物半导体层；

在所述p型氮化物半导体层上形成的p侧电极；

在通过刻蚀所述p型氮化物半导体层和所述有源层而暴露的所述n型氮化物半导体层上形成的n侧电极，所述n侧电极用于电流供应和外部接线；

与所述p侧电极电接触的p侧焊盘；和

设置有从所述p侧焊盘向所述n侧电极延伸的臂部和从所述臂部向所述n侧电极分叉的两个指状物的支电极，

其中，所述发光器件为具有长边和短边的矩形，而所述臂部沿所述长边向所述n侧电极延伸，并且所述两个指状物形成为与所述n侧电极有间隔并且围绕所述n侧电极。

2.如权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述支电极的所述两个指状物形成为以距所述n侧电极预定的距离围绕所述n侧电极。

3.如权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，通过刻蚀暴露所述n型半导体层的一部分，并且在所述n型半导体层的暴露部分上形成粗糙面。

4.如权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述两个指状物在所述p侧电极和所述n侧电极之间的中心处分叉。