[发明专利]分割光电二极管

权利要求书

1.一种分割光电二极管，具有能够接收光的光敏区，所述光敏区被二维分割成多个区域，该分割光电二极管包括：

第一导电类型的衬底；

第一导电类型的第一半导体层，其形成在所述衬底上；

第二导电类型的第二半导体层，其形成在所述第一半导体层上；和

所述第一导电类型的分割部分，其设置在所述第二半导体层中，与所述第一半导体层相隔开，以提供所述光敏区的分割，

其中，通过施加反向偏置电压，在所述分割部分下方的所述第二半导体层中生成第一耗尽层，

其中，所述第一耗尽层被构造成到达在所述第二半导体层和所述第一半导体层之间的结表面中形成的第二耗尽层，以使得所述光敏区被电隔离，

其中，所述第二半导体层是外延层，以及

其中所述分割部分与所述第二半导体层接触。

2.如权利要求1所述的分割光电二极管，其中，所述分割部分由第一扩散层组成，该第一扩散层包含扩散在其中的第一导电类型的杂质。

3.如权利要求2所述的分割光电二极管，进一步包括第一导电类型的分隔单元，其围绕所述的被二维分割的光敏区，

其中，所述分隔单元被设置在所述第一半导体层的表面和所述第二半导体层的表面之上。

4.如权利要求3所述的分割光电二极管，其中，所述分隔单元和所述衬底组成公共阳极。

5.如权利要求3所述的分割光电二极管，进一步包括设置于其中的多个结构单元，所述结构单元由所述光敏区和围绕所述光敏区的所述分隔单元组成。

6.如权利要求4所述的分割光电二极管，进一步包括设置于其中的多个结构单元，所述结构单元由所述光敏区和围绕所述光敏区的所述分隔单元组成。

7.如权利要求3至6中的任一项所述的分割光电二极管，

其中，所述分隔单元包括第一导电类型的第一扩散层和第一导电类型的掩埋层，所述第一扩散层被设置在所述第二半导体层中并且含有扩散在其中的第一导电类型的杂质，所述掩埋层被掩埋在所述第二半导体层和所述第一半导体层中，以及

其中，在所述分隔单元中，所述第一导电类型的第一扩散层耦合于所述第一导电类型的掩埋层。

8.如权利要求1至6中的任一项所述的分割光电二极管，其中，在所述第二半导体层的表面中提供第二导电类型的第二扩散层，该第二扩散层含有扩散在其中的第二导电类型的杂质。

9.如权利要求1至6中的任一项所述的分割光电二极管，

其中，所述光敏区由多个通过所述分割部分所电隔离的小区域构成，以及

其中，在所述光敏区的整个区域之上形成所述第二耗尽层。

10.如权利要求1至6中的任一项所述的分割光电二极管，其中所述分割部分在二维视图中是十字形的，并且所述分割部分提供将所述光敏区分割成四个部分的二维分割。