[发明专利]集成电路结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

一半导体基底；

具有一第一导电特性的一第一阱区，位于该半导体基底上；

具有相反于该第一导电特性的一第二导电特性的一第二阱区，环绕该第一阱区；

一含金属膜层，位于该第一阱区之上并与之相邻，并延伸于至少该第二阱区的至少一内部，其中该含金属膜层与该第一阱区形成一肖特基势垒；

一隔离区，环绕该含金属膜层；以及

具有该第二导电特性的一第三阱区，环绕该第一阱区的至少一中央部，其中该第三阱区具有较该第二阱区为高的一掺杂浓度，而该第三阱区包括相邻于该含金属膜层的一顶面以及高于该第一阱区与该第二阱区的底面的一底面。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，还包括：

具有该第一导电特性的一第四阱区，环绕该第二阱区；

具有该第一导电特性的一埋入掺杂层，位于该第一阱区、该第二阱区与该第四阱区之下并与之相接触；以及

具有该第一导电特性的一接触区，位于该第四阱区内的一表面处。

3.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该第三阱区自该隔离区下方延伸至该含金属膜层。

4.如权利要求3所述的集成电路结构，其中该第三阱区的一内部边缘与该第一阱区相隔离。

5.如权利要求3所述的集成电路结构，还包括一第一核心金属氧化物半导体装置，位于一第五阱区内，其中该第五阱区具有与该第三阱区相同的一掺杂浓度与一掺杂深度。

6.如权利要求5所述的集成电路结构，还包括：

具有该第二导电特性的一第六阱区，位于该第三阱区的一内侧之上，其中该第六阱区形成了环绕该第一阱区的一中间部的一环状物；

具有与该第一核心金属氧化物半导体装置相反导电特性的一第二核心金属氧化物半导体装置，其中该第二核心金属氧化物半导体装置包括一源极/漏极区域，而其中该第六阱区具有与该源极/漏极区相同的一掺杂浓度与一掺杂深度。

7.如权利要求1所述的集成电路结构，其中该第三阱区的外部边缘位于该含金属膜层的各边缘之下并与之相隔离。

8.一种集成电路结构，包括：

一半导体基底；

一第一高电压N型阱区，位于该半导体基底之上；

一第一高电压P型阱区，位于该半导体基底之上并环绕该第一高电压N型阱区并与之相邻；

一含金属膜层，位于该第一高电压N型阱区与该第一高电压P型阱区之上并与之相邻，其中该含金属膜层与该第一高电压N型阱区形成了一肖特基势垒；

一隔离区，环绕该含金属膜层并与之相邻；

一低电压P型阱区环绕该第一高电压N型阱区且与之相分隔，其中该低电压P型阱区自该隔离区下方的区域延伸至该含金属膜层下方的区域；

一重度掺杂P型区域，位于该含金属膜层下方且环绕至少该第一高电压N型阱区的一中央部；

一第二高电压N型阱区环绕该第一高电压P型阱区并与之相邻；

一N型埋入区，位于该半导体基底之上，其中该N型埋入区位于该第一高电压N型阱区、该第二高电压N型阱区与该第一高电压P型阱区下方且与之相邻；以及

一N型重度掺杂接触区，位于该第二高电压N型阱区的表面。

9.如权利要求8所述的集成电路结构，还包括环绕该第二高电压N型阱区的一第二高电压P型阱区，其中至少一部份的该第二高电压P型阱区不接触该位于下方的该N型埋入区。

10.如权利要求8所述的集成电路结构，其中该重度掺杂P型区的外部边缘与该含金属膜层的各边相分隔。

11.如权利要求8所述的集成电路结构，还包括：

一核心N型金属氧化物半导体装置，形成于一P型阱区内，其中该P型阱区具有相同于该低电压P型阱区的掺杂浓度与深度；以及

一核心P型金属氧化物半导体装置，包括一源极/漏极区，其中该源极漏极区具有相同于该重度掺杂P型区的一掺杂浓度与一深度。