[发明专利]射频可变增益放大器

权利要求书

1.一种射频可变增益放大器电路，包括：

一线性电压对电流转换器，用以线性转换一控制电压成一分贝电流，其中，所述分贝电流以及所述控制电压为线性比例；

一电流控制电路，用以分割所述分贝电流成一第一控制电流以及一第二控制电流；

一放大器电路，用以根据所述第一控制电流以及所述第二控制电流输出第一输出电流和第二输出电流，该放大器电路包括第一放大器和第二放大器，其中，第一放大器，用以接收所述第一控制电流、一第一输入电压以及一第二输入电压，并且，第二放大器，用以接收所述第二控制电流、所述第一输入电压以及所述第二输入电压，所述第一放大器以及所述第二放大器分别根据所述第一控制电流和第二控制电流转换所述第一输入电压成一第一输出电流以及转换所述第二输入电压成一第二输出电流。

2.如权利要求1所述的射频可变增益放大器电路，其中，

所述第一放大器还包括：

一第一增益晶体管，包括一栅极端、一第一端以及一第二端，所述栅极端用以接收所述第一输入电压，其中，所述第一控制电流用以由所述第一增益晶体管的所述第二端通过至所述第一增益晶体管的所述第一端；以及

一第一串迭晶体管，包括一漏极端以及一第一端，所述漏极端用以输出所述第一输出电流，其中，所述第一串迭晶体管的所述第一端耦接于所述第一增益晶体管的第二端；以及

所述第二放大器还包括：

一第二增益晶体管，包括一栅极端、一第一端以及一第二端，所述第二增益晶体管的所述栅极端用以接收所述第二输入电压，其中，所述第二控制电流用以由所述第二增益晶体管的所述第二端通过至所述第二增益晶体管的所述第一端；以及

一第二串迭晶体管，包括一漏极端以及一第一端，所述第二串迭晶体管的所述漏极端用以输出所述第二输出电流，其中，所述第二串迭晶体管的所述第一端耦接于所述第二增益晶体管的第二端。

3.如权利要求2所述的射频可变增益放大器电路，其中，所述第一增益晶体管以及所述第二增益晶体管与所述第一串迭晶体管以及所述第二串迭晶体管分别形成串迭型式。

4.如权利要求1所述的射频可变增益放大器电路，其中，所述线性电压对电流转换器用以接收一第一参考电流，然后以所述第一参考电流与所述控制电压的函数，产生所述分贝电流。

5.如权利要求2或3的射频可变增益放大器电路，其中，所述各晶体管是选自下列群组之一，包括：

一n型晶体管，其中，所述各晶体管的所述第一端为所述n型晶体管的源极端，以及所述各晶体管的所述第二端为所述n型晶体管的漏极端；以及

一p型晶体管，其中，所述各晶体管的所述第一端为所述p型晶体管的漏极端，以及所述各晶体管的所述第二端为所述p型晶体管的源极端。

6.一种线性控制方法，包括：

线性转换一控制电压成一分贝电流，其中，所述分贝电流以及所述控制电压成线性比例；

转变所述分贝电流成一第一控制电流以及一第二控制电流；

接收所述第一控制电流以及所述第二控制电流；

接收一第一输入电压以及一第二输入电压；

根据所述第一控制电流和第二控制电流，转换所述第一输入电压成一第一输出电流；以及

根据所述第一控制电流和第二控制电流，转换所述第二输入电压成一第二输出电流。

7.如权利要求6所述的线性控制方法，其中，线性转换一控制电压成一分贝电流的步骤还包括接收一第一参考电流的步骤，其中，所述分贝电流为所述第一参考电流以及所述控制电压的一函数。

8.如权利要求6所述的线性控制方法，还包括：

镜射一直流偏压电流至一第一增益晶体管以及一第二增益晶体管的栅极端；

耦接于一第一串迭晶体管的第一端至所述第一增益晶体管的第二端；以及

耦接于一第二串迭晶体管的第一端至所述第二增益晶体管的第二端；

其中，所述第一增益晶体管的增益以及所述第二增益晶体管的增益是根据所述直流偏压电流而决定。

9.如权利要求8所述的线性控制方法，还包括：

接收一第二参考电流以产生一固定电压；以及

将所述第一串迭晶体管以及第二串迭晶体管工作在饱和区以扩大所述直流偏压电流的可用调整范围。