[发明专利]承载装置及沉积机台的监测方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于半导体工艺设备的装置及监测方法，且特别涉及一种承载装置及沉积机台的监测方法。

背景技术

薄膜沉积(thin film deposition)技术已是半导体产业所广泛应用的技术之一。薄膜沉积技术可分为物理气相沉积(physical vapor deposition，PVD)以及化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)。物理气相沉积主要是通过物理现象进行薄膜沉积，化学气相沉积主要是以化学反应的方式进行薄膜沉积。而无论是何种方式的气相沉积都需于一沉积机台上进行相关工艺。

一般而言，在沉积机台的系统中会大量使用静电式承载座(electrostaticchuck，E-chuck)来承载欲进行薄膜沉积工艺的晶片。在静电式承载座的外围表面上通常会放置一种环形附件，即沉积环(deposition ring)，以防止薄膜沉积于静电式承载座的表面，进而节省清理的时间与成本，并提高进行薄膜沉积的产能。

然而，当晶片在进行薄膜沉积工艺时，沉积环发生断裂或损坏可能会形成颗粒源(particle source)造成污染，容易使得晶片在沉积薄膜时发生大量缺陷导致报废。因此，如何避免晶片在错误的环境中进行沉积工艺以确保薄膜的品质，并改善工艺良率与可靠度是业界亟欲解决的课题之一。

发明内容

本发明提供一种承载装置，能够即时侦测沉积环或晶片的损坏。

本发明另提供一种沉积机台的监测方法，可以避免晶片在进行沉积薄膜时发生缺陷。

本发明提出一种承载装置，适于配置在沉积机台中以承载一晶片，此承载装置包括承载座、沉积环以及侦测单元。承载座用以放置晶片于其上。沉积环配置于承载座的外围表面上。侦测单元包括至少一个第一电极、至少一个第二电极、信号输出部与信号接收部。第一电极与第二电极分别配置于承载座的表面，且第一电极与第二电极互不接触。信号输出部连接第一电极，以输出一信号。信号接收部连接第二电极，其中通过信号接收部是否接收到此信号，以判断第一电极与第二电极是否电性连接在一起。

在本发明的一实施例中，上述的第一电极与第二电极分别为环状电极，且第一电极与第二电极是以同心圆的方式而配置。

在本发明的一实施例中，上述的第一电极与第二电极分别配置于沉积环下方的承载座表面。而上述的侦测单元例如是沉积环损坏侦测器。

在本发明的一实施例中，上述的第一电极与第二电极分别配置于晶片下方的承载座表面。而上述的侦测单元例如是晶片破片侦测器。

在本发明的一实施例中，当侦测单元具有多个第一电极与多个第二电极时，各第一电极与各第二电极为间隔配置。沉积环下方与晶片下方的承载座表面例如是分别配置有第一电极与第二电极。

在本发明的一实施例中，还包括控制单元，且控制单元连接该侦测单元，以根据侦测单元的侦测结果来停止该沉积机台的运作。

在本发明的一实施例中，上述的承载座的材料包括陶瓷材料。

在本发明的一实施例中，上述的沉积环的材料包括陶瓷材料。

在本发明的一实施例中，上述的沉积机台包括物理气相沉积机台。

本发明另提出一种沉积机台的监测方法。首先，提供一承载装置，其包括承载座、沉积环、至少一个第一电极、至少一个第二电极。第一电极与第二电极分别配置于承载座的表面，且第一电极与第二电极互不接触。接着，放置一晶片于承载座上。随的，进行沉积工艺，并输出一信号至第一电极。之后，通过第二电极是否接收到此信号以判断第一电极与第二电极是否电性连接。

在本发明的一实施例中，当第一电极与第二电极电性连接时，停止沉积工艺。

在本发明的一实施例中，上述的第一电极与第二电极分别为环状电极，且第一电极与第二电极是以同心圆的方式而配置。

在本发明的一实施例中，上述的第一电极与第二电极分别配置于沉积环下方的承载座表面。而上述的侦测方法例如是用于检测沉积环的损坏。

在本发明的一实施例中，上述的第一电极与第二电极分别配置于晶片下方的承载座表面。而上述的侦测方法例如是用于检测晶片的损坏。

在本发明的一实施例中，当承载装置具有多个第一电极与多个第二电极时，各第一电极与各第二电极为间隔配置。沉积环下方与晶片下方的承载座表面例如是分别配置有第一电极与第二电极。

在本发明的一实施例中，上述的承载座的材料包括陶瓷材料。

在本发明的一实施例中，上述的沉积环的材料包括陶瓷材料。