[发明专利]一种双稳态接触器驱动电路

权利要求书

1.一种双稳态接触器驱动电路，包括双稳态接触器，其特征在于，还包 括开关管Q、继电器RLY 1，所述继电器RLY 1的第九动触点（9）和第四动 触点（4）分别连接到双稳态接触器的线圈两端、所述继电器RLY 1的第十常 闭触点（10）和第五常开触点（5）连接到电源正极、所述继电器RLY 1的第 八常开触点（8）和第三常闭触点（3）连接到开关管Q的漏极，开关管Q的 源极连接到电源负极、开关管Q的栅极连接到开关管驱动电路（A）的输出端 （MOSDRV），所述继电器RLY 1的线圈分别与用于产生继电器驱动电压的驱 动电压生成电路（B）的输出正极（DRV+）和输出负极（DRV-）相连。

2.根据权利要求1所述的双稳态接触器驱动电路，其特征在于，所述开 关管Q是金属氧化物半导体场效应管Q1。

3.根据权利要求2所述的双稳态接触器驱动电路，其特征在于，所述开 关管驱动电路（A）包括：

光电耦合器U14，所述光电耦合器U14的发射端阳极连接在开关管驱动 电路的输出端（MOSDRV），所述光电耦合器U14的发射端阴极接地，所述光 电耦合器U14的接收端集电极经电阻R1连接到电源正极，所述光电耦合器 U14的接收端发射极经电阻R6连接到金属氧化物半导体场效应管Q1的栅极；

二极管D2，所述二极管D2的阳极连接到电源负极、所述二极管D2的阴 极连接到光电耦合器U14的接收端集电极；

以及连接在电源负极和光电耦合器U14的接收端发射极的电阻R8；

所述二极管D2用于提供金属氧化物半导体场效应管Q1开通时的稳定栅 极电压。

4.根据权利要求3所述的双稳态接触器驱动电路，其特征在于，所述光 电耦合器U14的接收端集电极和电源负极之间串联有电容C1。

5.根据权利要求3所述的双稳态接触器驱动电路，其特征在于，所述开 关管驱动电路的输出端（MOSDRV）和光电耦合器U14的发射端阳极之间串 联有电阻R7，所述电阻R1和光电耦合器U14的接收端集电极之间串联有电 阻R2、R3。

6.根据权利要求3所述的双稳态接触器驱动电路，其特征在于，所述金 属氧化物半导体场效应管Q1的漏极和源极之间并联有瞬态电压抑制二极管 D1。

7.根据权利要求1所述的双稳态接触器驱动电路，其特征在于，所述继 电器RLY 1的第九动触点（9）和第四动触点（4）之间串联有电阻R9和电容 C1。

8.根据权利要求1所述的双稳态接触器驱动电路，其特征在于，所述电 压生成电路（B）包括：

连接输出正极（DRV+）的电源Vcc，

三极管Q2，所述三极管Q2的基极经电阻R267连接到驱动信号端（DRV）、 所述三极管Q2的发射极接地、所述三极管Q2的集电极连接到输出负极（DRV －），

二极管D4，所述二极管D4的阳极接地、所述二极管D4的阴极连接到三 极管Q2的集电极，

二极管D3，所述二极管D3的阴极与电源Vcc相连、所述二极管D3的阳 极连接到三极管Q2的集电极。

9.根据权利要求8所述的双稳态接触器驱动电路，其特征在于，所述电 源Vcc和地之间连接有电容C2，所述三极管Q2的集电极和发射极之间连接 有电容C3。

10.根据权利要求1所述的双稳态接触器驱动电路，其特征在于，所述开 关管Q是功率三极管。