[发明专利]半导体集成电路器件及其检测方法、半导体晶片、以及老化检测设备无效
| 申请号： | 200810213124.2 | 申请日： | 2005-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN101382581A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 石飞贵志;大鸟隆志;田中泰资 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 及其 检测 方法 晶片 以及 老化 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种老化检测设备，该设备用于输出检测信号并且接收响应上述检测信号的PASS信号或FAIL信号来检测在半导体晶片上形成的多个半导体芯片，其特征在于:
具有观测装置，该装置记录在检测时接收到上述FAIL信号的时刻和次数。
2.根据权利要求1所述的老化检测设备，其特征在于:
上述观测装置在接收到上述FAIL信号时，使对上述多个半导体芯片中输出了上述FAIL信号的半导体芯片的电源供给或上述检测信号的供给停止。
3.根据权利要求1所述的老化检测设备，其特征在于:
上述观测装置在接收到上述FAIL信号的次数达到预定值时，使对输出了上述FAIL信号的半导体芯片的电源供给或上述检测信号的供给停止。
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