[发明专利]VCSEL阵列器件和制造VCSEL阵列器件的方法

权利要求书

1.一种垂直腔表面发射激光二极管阵列器件，该垂直腔表面发射激 光二极管阵列器件包括：

沿纵向延伸的基板；

形成在该基板上的至少第一多层反射膜、有源层，以及第二多层反 射膜；

通过选择性地移除第一多层反射膜、该有源层，以及第二多层反射 膜的至少一部分而形成在该基板上的多个台面部分；

形成在第一多层反射膜和第二多层反射膜至少其一上的选择氧化 区；

覆盖各个台面部分的顶部外围、侧部和底部的层间绝缘膜；以及

覆盖该层间绝缘膜的表面保护膜，

该表面保护膜具有沿该基板的纵向形成的多个槽，其中移除了该表 面保护膜的至少一部分，其中，各所述槽用于隔离每个所述台面部分。

2.根据权利要求1所述的垂直腔表面发射激光二极管阵列器件，其 中这些槽被形成为到达该表面保护膜和该表面保护膜正下方的层间绝缘 膜。

3.根据权利要求1或2所述的垂直腔表面发射激光二极管阵列器件， 其中该槽包括跨过该基板而形成的狭缝。

4.根据权利要求1或2所述的垂直腔表面发射激光二极管阵列器件， 其中当直线排列的台面部分的数量是n时，这些槽的数量是至少n-1，其 中n是大于等于2的自然数。

5.根据权利要求1或2所述的垂直腔表面发射激光二极管阵列器件， 其中该层间绝缘膜是单个无机绝缘膜或由不同材料的多个无机绝缘膜制 成的堆叠分层膜。

6.根据权利要求1或2所述的垂直腔表面发射激光二极管阵列器件， 其中该表面保护膜是具有与该层间绝缘膜中的法向应力方向相反的法向 应力的薄膜材料制成的绝缘膜。

7.根据权利要求1或2所述的垂直腔表面发射激光二极管阵列器件， 其中该层间绝缘膜由其至少一个层包括铝的无机绝缘膜制成。

8.根据权利要求1或2所述的垂直腔表面发射激光二极管阵列器件， 其中该层间绝缘膜是由包括铝的无机绝缘膜和包括硅的无机绝缘膜制成 的堆叠分层膜。

9.根据权利要求1或2所述的垂直腔表面发射激光二极管阵列器件， 其中这些槽被填充了绝缘材料。

10.根据权利要求1或2所述的垂直腔表面发射激光二极管阵列器 件，其中第一和第二多层反射膜是包括Al的III-V族半导体层，并且该 选择氧化区是包括Al的从该台面部分的侧表面被选择性氧化的半导体 层。

11.一种制造垂直腔表面发射激光二极管阵列器件的方法，该方法 包括以下步骤：

在沿纵向延伸的基板上形成至少第一多层反射膜、有源层，以及第 二多层反射膜；

通过蚀刻第一多层反射膜、该有源层，以及第二多层反射膜的至少 一部分，在该基板上形成多个台面部分；

形成从这多个台面部分的侧表面被选择性氧化的氧化区；

在该基板上形成层间绝缘膜以覆盖所述多个台面部分各个的顶部外 围、侧部和底部；

在该层间绝缘膜上形成表面保护膜；以及

通过移除该表面保护膜的至少一部分，在该表面保护膜中沿该基板 的纵向形成多个槽，各个所述槽用于隔离每个所述台面部分。

12.根据权利要求11所述的方法，其中这些槽延伸到该表面保护膜 正下方的该层间绝缘膜。

13.根据权利要求11或12所述的方法，该方法还包括以下步骤： 用绝缘树脂填充这些槽。

14.根据权利要求11或12所述的方法，其中当直线排列的台面部 分的数量是n时，这些槽的数量是n-1，其中n是大于等于2的自然数。

15.根据权利要求11或12所述的方法，其中该层间绝缘膜是单个 无机绝缘膜或由不同材料的多个无机绝缘膜制成的堆叠分层膜。

16.根据权利要求11或12所述的方法，其中该表面保护膜是具有 与该层间绝缘膜中的法向应力方向相反的法向应力的薄膜材料制成的绝 缘膜。