[发明专利]增大氧化铝层的能带隙的方法和制造存储装置的方法无效
申请号: | 200810213314.4 | 申请日: | 2008-08-22 |
公开(公告)号: | CN101373715A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
发明(设计)人: | 崔相武;成政宪;薛光洙;申雄澈;朴祥珍 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;H01L21/28;H01L21/336 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭鸿禧;杨静 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 增大 氧化铝 能带 方法 制造 存储 装置 | ||
1.一种增大氧化铝层的能带隙的方法,包括以下步骤:
在下膜上形成非晶氧化铝层;
将H或OH引入到非晶氧化铝层中;
使包含H或OH的非晶氧化铝层结晶。
2.如权利要求1所述的方法,其中,使用湿氧化法、离子注入法和等离子体掺杂法中的一种方法将H或OH引入非晶氧化铝层中。
3.如权利要求2所述的方法,其中,在大气压和第一温度下执行湿氧化,或者在高于大气压的压力和低于第一温度的第二温度下执行湿氧化。
4.如权利要求1所述的方法,其中,使非晶氧化铝层结晶的步骤包括:
对非晶氧化铝层执行第一热处理,其中,在800℃至1300℃的温度范围内,包括在800℃和1300℃下,执行第一热处理。
5.如权利要求4所述的方法,还包括:
对非晶氧化铝层执行第二热处理,其中,在低于非晶氧化铝层的结晶温度的温度下执行第二热处理。
6.如权利要求1所述的方法,其中,在单个工艺过程中,执行在下膜上形成非晶氧化铝层的步骤和将H或OH引入到非晶氧化铝层中的步骤。
7.如权利要求1所述的方法,其中,在引入H或OH的同时使非晶氧化铝层结晶。
8.如权利要求7所述的方法,其中,利用气相沉积法或原子层沉积法形成非晶氧化铝层。
9.如权利要求1所述的方法,其中,结晶的氧化铝层包括能带隙大于7.0eV的晶相。
10.一种制造电荷捕获存储装置的方法,所述方法包括以下步骤:
根据权利要求1所述的方法形成结晶氧化铝层,
其中,所述下膜是电荷捕获层。
11.如权利要求10所述的方法,其中,结晶的氧化铝层包括能带隙大于7.0eV的晶相。
12.如权利要求10所述的方法,其中,使用湿氧化法、离子注入法和等离子体掺杂法中的一种方法来将H或OH引入非晶氧化铝层中。
13.如权利要求12所述的方法,其中,在大气压和第一温度下执行湿氧化,或者在高于大气压的压力和低于第一温度的第二温度下执行湿氧化。
14.如权利要求10所述的方法,其中,使非晶氧化铝层结晶的步骤包括:
对非晶氧化铝层执行第一热处理,其中,在800℃至1300℃的温度范围内,包括在800℃和1300℃下,执行第一热处理。
15.如权利要求14所述的方法,还包括:
对非晶氧化铝层执行第二热处理,其中,在低于非晶氧化铝层的结晶温度的温度下执行第二热处理。
16.如权利要求10所述的方法,其中,在引入H或OH之后,所述方法还包括:
在使非晶氧化铝层结晶之前,使包含H或OH的非晶氧化铝层致密化。
17.如权利要求10所述的方法,其中,将H或OH引入非晶氧化铝层中的步骤还包括:
当引入H或OH时,在氧气氛中对非晶氧化铝层执行第一热处理。
18.如权利要求10所述的方法,其中,在富氧状态下在电荷捕获层上形成非晶氧化铝层之后,引入H。
19.如权利要求18所述的方法,还包括:
使包含H的非晶氧化铝层致密化。
20.如权利要求10所述的方法,其中,电荷捕获层是氮化硅层。
21.一种制造电荷捕获存储装置的方法,所述电荷捕获存储装置包括由顺序地堆叠在基底上的隧穿膜、电荷捕获层、α相结晶氧化铝层和栅电极形成的栅极堆叠,所述方法包括以下步骤:
在电荷捕获层上形成非晶氧化铝层;
在非晶氧化铝层上形成金属层,金属层的空间点阵与α相结晶氧化铝层的空间点阵相似;
通过对包括金属层的所得物执行热处理,使非晶氧化铝层转变成α相结晶氧化铝层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造