[发明专利]具有变量器的电子器件

说明书

技术领域

本发明涉及电子器件，并且更具体地涉及包括变量器的电子器件。

背景技术

Jianjun J.Zhou等人，“Monolithic Transformers and TheirApplication in a Differential COMS RF Low-Noise Amplifier”，IEEEJournal of Solid-State Circuits，第33卷第12期(1998年12月)2020-2027页描述了包括两个相同螺旋导体(电感器)的变量器的布局。这里，变量器用于差分电路。

Ouail El-Gharniti等人，“Modeling of Integrated Monolithictransformers for Silicon RF IC”，2004年第11届IEEE电子电路和系统国际会议(ICECS2004)，2004年12月13—15日，第137-140页描述了在硅上形成的变量器的布局。图10示出其所描述的变量器的布局。变量器10包括两个电感器12及14。

JP 2005-509300 A、JP 11-54705A及JP 2000-124403 A描述了在基底或衬底上形成的电感器的结构。

然而，上述文献中描述的变量器存在的问题在于，由于布局的对称性不好，变量器的阻抗的对称性下降，并且当用于差分电路或用作平衡-不平衡转换器(balun)时它们的特性恶化。例如，在Jianjun J.Zhou等人描述的结构中，对于形成变量器的每个螺旋导体，其一端位于螺旋形状内部同时其另一端位于螺旋形状外部。所述结构是不对称的且从所述一端的一侧看到的结构与从所述另一端的一侧看到的结构是不同的。在Ouail El-Gharniti等人描述的结构中，形成变量器的两个电感器具有不同的形状。所述结构是不对称的且从一个电感器的一端看到的结构与从另一个电感器的一端看到的结构是不同的。JP 2005-509300A、JP 11—54705A及JP 2000-124403 A没有描述具有对称结构的变量器。

发明内容

本发明提供一种电子器件，包括：衬底；以及在衬底上形成并包括第一电感器及第二电感器的变量器，在平面图中第一电感器关于第一直线对称，第二电感器具有与第一电感器的形状相同的形状，布置第一电感器与第二电感器以便彼此关于与第一直线正交的第二直线对称。

通过以此种方式设计变量器的布局，可使变量器的结构为垂直的且水平的对称。这使得当从形成变量器的电感器的任何输入端及输出端看时阻抗相同成为可能，从而使变量器的电特性令人满意地对称。因此，当变量器用于差分电路或用作平衡-不平衡转换器时可获得令人满意的特性。

请注意，上述组件的任何任意组合及方法、器件、系统、记录媒体、计算机程序等等之间的本发明的表述的任何改变作为本发明的实施例都是有效的。

根据本发明，可以改善变量器阻抗的对称性且可使其特性令人满意。

附图说明

在附图中：

图1是示出根据本发明的实施例的电子器件的结构的示意图；

图2A至2C描述图1所示的第一电感器的第一环状导体的形状；

图3A至3C描述图1所示的第一电感器的第一环状导体的形状；

图4是图1所示的变量器的平面图；

图5A至5C示出图4所示的变量器的截面的示例；

图6A至6C示出图4所示的变量器的截面的另一示例；

图7是示出根据本发明的实施例的另一示例性变量器的平面图；

图8是示出根据本发明的实施例的又一示例性变量器的平面图；

图9是示出根据本发明的实施例的又一示例性变量器的平面图；以及

图10示出传统变量器的布局。

具体实施方式

现参照附图在下文中描述本发明的实施例。请注意，在所有附图中，相同的标号表示相同的组件且在适当情况下省略其描述。

图1是根据本实施例的电子器件100的结构的示意图；

电子器件100包括衬底(未示出)以及在衬底上形成的变量器102。变量器102包括第一电感器112及第二电感器122。在平面图中第一电感器112关于第一直线150对称。第二电感器122具有与第一电感器112的形状相同的形状，并且在平面图中也关于第一直线150对称。布置第一电感器112及第二电感器122以便彼此关于与第一直线150正交的第二直线152对称。第一电感器112及第二电感器122均弯曲多次，即两次或更多。在本实施例中，电感器弯曲两次。