[发明专利]固态成像设备无效
申请号: | 200810213478.7 | 申请日: | 2008-09-08 |
公开(公告)号: | CN101383372A | 公开(公告)日: | 2009-03-11 |
发明(设计)人: | 二村文章;木村哲司 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H04N3/15;H04N5/335 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙志湧;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 设备 | ||
1.一种固态成像设备,包括:
光电转换部分,其被配置为通过光电转换产生电荷;
第一电荷转移部分,其与所述光电转换部分相连接;
第一读栅极部分,其位于所述光电转换部分与所述第一电荷转移部分之间,并且被配置为将所述电荷从所述光电转换部分转移到所述第一电荷转移部分;
第二电荷转移部分,其独立于所述第一电荷转移部分进行操作,并且被配置为接收从所述第一电荷转移部分转移的所述电荷;以及,
第二读栅极部分,其位于所述第一电荷转移部分与所述第二电荷转移部分之间,并且被配置为将所述电荷从所述第二电荷转移部分转移到所述第一电荷转移部分。
2.根据权利要求1所述的固态成像设备,进一步包括:
电荷耦合电极,其位于所述第一电荷转移部分的输出处,并且被配置为将所述电荷从所述第一电荷转移部分转移到所述第二电荷转移部分。
3.根据权利要求所述2的固态成像设备,进一步包括:
与所述电荷耦合电极相连接的输出电极,朝所述输出电极依次相连接的浮动扩散电容部分、电荷检测部分、复位栅极、以及复位漏极。
4.根据权利要求1所述的固态成像设备,其中,
所述第二电荷转移部分被提供有第二电荷转移时钟信号,所述第二电荷转移时钟信号是基于要提供给所述第一电荷转移部分的第一电荷转移时钟信号确定的。
5.根据权利要求4所述的固态成像设备,进一步包括:
时钟产生电路,其被配置为基于分辨率来选择性地将所述第二电 荷转移时钟信号提供给所述第二电荷转移部分。
6.根据权利要求1至5中任何一项所述的固态成像设备,其中,在所述第二读栅极部分的末端设置溢出漏极部分。
7.根据权利要求1至5中任何一项所述的固态成像设备,其中,
在所述第二电荷转移部分的末端设置附加转移电极和寄存器漏极,以吸收暗电流。
8.根据权利要求1至5中任何一项所述的固态成像设备,进一步包括:
电荷积累部分,其被配置为积累从所述第二电荷转移部分转移的所述电荷;
第三读栅极,其位于所述第二电荷转移部分与所述电荷积累部分之间,并且被配置为将所述电荷从所述第二电荷转移部分转移到所述电荷积累部分;
第三电荷转移部分,其独立于所述第一和第二电荷转移部分进行操作,并且与所述电荷积累部分相连接;以及
第四读栅极,其位于所述第三电荷转移部分与所述电荷积累部分之间,并且被配置为将所述电荷从所述电荷积累部分转移到所述第三电荷转移部分。
9.根据权利要求8所述的固态成像设备,其中,
通过使所述第二电荷转移部分、所述第三电荷转移部分、以及所述电荷积累部分的间距变窄来形成元件排列区域,而无需改变级数。
10.根据权利要求1至5中的任一项所述的固态成像设备,其中,
在所述第二电荷转移部分的末端设置第一附加转移电极和第二附加转移电极,以吸收暗电流。
11.根据权利要求4所述的固态成像设备,其中,
基于分辨率选择所述第二电荷转移部分。
12.根据权利要求5所述的固态成像设备,其中,
基于分辨率选择所述第二电荷转移部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的