[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种在构件上安装了半导体元件的半导体装置，其特征在于：

连接上述构件与上述半导体元件的第一连接部具有：

在上述构件上形成的第一Ni系层；

在上述第一Ni系层上形成的以Cu-Ni-Sn化合物为主体的第一金属间化合物层；以及

在上述第一金属间化合物层与上述半导体元件之间形成的、含有Cu-Ni-Sn化合物的Sn-Ni-Cu系焊锡层，

上述Sn-Ni-Cu系焊锡层将上述第一金属间化合物层与上述半导体元件连接。

2.如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于：

上述第一连接部的上述Sn-Ni-Cu系焊锡层是含有1～10质量％的Cu和0.05～0.5质量％的Ni的焊锡。

3.如权利要求1中所述的半导体装置，其特征在于：

上述构件是支撑电极体。

4.如权利要求3中所述的半导体装置，其特征在于：

在上述第一连接部中包含Al、Mg、Ag、Zn、Cu、Ni、Cu/因瓦合金/Cu复合材料、Cu/陶瓷/Cu、Cu/Cu₂O复合材料、Cu-Mo合金、Ti、Mo、W中的某一种作为缓冲材料。

5.如权利要求3中所述的半导体装置，其特征在于：

上述半导体元件的与上述支撑电极体连接的面的背面与引线电极连接，

连接上述引线电极与上述半导体元件的第二连接部具有：

在上述引线电极上形成的第二Ni系层；

在上述第二Ni系层上形成的以Cu-Ni-Sn化合物为主体的第二金属间化合物层；以及

在上述第二金属间化合物层与上述半导体元件之间形成的Sn-Ni-Cu系焊锡层。

6.如权利要求5中所述的半导体装置，其特征在于：

上述第二连接部的上述Sn-Ni-Cu系焊锡层是含有1～10质量％的Cu和0.05～0.5质量％的Ni的焊锡。

7.如权利要求5中所述的半导体装置，其特征在于：

在上述第二连接部中包含Al、Mg、Ag、Zn、Cu、Ni、Cu/因瓦合金/Cu复合材料、Cu/陶瓷/Cu、Cu/Cu₂O复合材料、Cu-Mo合金、Ti、Mo、W中的某一种作为缓冲材料。

8.一种半导体装置，具有：半导体元件；经由第一缓冲材料与上述半导体元件的第一面连接的支撑电极体；以及经由第二缓冲材料与上述半导体元件的第二面连接的引线电极，其特征在于：

连接上述半导体元件的第一面与上述第一缓冲材料的第一连接部具有：

在上述半导体元件的第一面上形成的第一Ni系层；

在上述第一Ni系层上形成的以Cu-Ni-Sn化合物为主体的第一金属间化合物层；以及

在上述第一金属间化合物层与上述第一缓冲材料之间形成的、含有Cu-Ni-Sn化合物的Sn-Ni-Cu系焊锡层，

上述Sn-Ni-Cu系焊锡层将上述第一金属间化合物层与上述半导体元件连接。

9.如权利要求8中所述的半导体装置，其特征在于：

上述第一连接部的上述Sn-Ni-Cu系焊锡层是含有1～10质量％的Cu和0.05～0.5质量％的Ni的焊锡。

10.如权利要求8中所述的半导体装置，其特征在于：

连接上述半导体元件的第二面与上述第二缓冲材料的第二连接部具有：

在上述半导体元件的第二面上形成的第二Ni系层；

在上述第二Ni系层上形成的以Cu-Ni-Sn化合物为主体的第二金属间化合物层；以及

在上述第二金属间化合物层与上述第二缓冲材料之间形成的Sn-Ni-Cu系焊锡层。

11.如权利要求10中所述的半导体装置，其特征在于：

上述第二连接部的上述Sn-Ni-Cu系焊锡层是含有1～10质量％的Cu和0.05～0.5质量％的Ni的焊锡。

12.如权利要求8中所述的半导体装置，其特征在于：

上述支撑电极体与上述第一缓冲材料的连接部用在200℃下含有Cu₆Sn₅相的Sn系焊锡连接而构成。