[发明专利]光刻装置和器件制造方法有效

专利信息
申请号: 200810213496.5 申请日: 2003-11-11
公开(公告)号: CN101349876A 公开(公告)日: 2009-01-21
发明(设计)人: A·T·A·M·德克森;S·N·L·当德斯;C·A·胡根达姆;J·洛夫;E·R·鲁普斯特拉;J·J·S·M·梅坦斯;J·C·H·穆肯斯;T·F·森格斯;A·斯特拉艾杰;B·斯特里夫克 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/027
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王波波
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 光刻 装置 器件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种光刻投射装置,包括:

用于提供辐射投射光束的辐射系统;

用于支撑构图部件的支撑结构,所述构图部件用于根据理想的图案对投射光束进行构图;

用于保持基底的基底台;

用于将带图案的光束投射到基底的靶部上的投射系统;和

液体供给系统,所述液体供给系统用于向由所述投射系统的最终元件的表面和所述基底的表面限定的空间提供浸没液体;

其中,所述光刻投射装置还包括当所述基底从所述投射系统下移开时,用于保持所述最终元件的所述表面与液体接触的装置;

其中所述用于保持所述最终元件与液体接触的装置包括一个在所述液体供给系统相对所述投射系统的一侧上的可定位的遮光构件,这样,可以将所述浸没液体限制在所述液体供给系统中以及限制在所述投射系统与所述遮光构件之间。

2.如权利要求1所述的光刻投射装置,其中所述遮光构件是所述基底台的表面。

3.如权利要求1所述的光刻投射装置,其中所述遮光构件是与所述光刻投射装置的其余部分分开的。

4.如权利要求3所述的光刻投射装置,其中所述遮光构件和/或所述基底台具有可释放地将所述遮光构件保持在所述基底台上的装置。

5.如权利要求3或4所述的光刻投射装置,还包括可释放地将所述遮光构件附着于所述液体供给系统的装置。

6.如权利要求5所述的光刻投射装置,其中所述用于可释放地保持的装置和/或用于可释放地附着的装置包括磁性装置。

7.如权利要求5所述的光刻投射装置,其中所述用于可释放地保持的装置和/或用于可释放地附着的装置包括用于将所述遮光构件吸到所述基底台和/或所述液体供给系统的真空出口。

8.如权利要求7所述的光刻投射装置,其中所述液体供给系统包括沿容纳所述液体的所述空间的至少一部分边界延伸的密封构件,并且包括密封所述密封构件与所述基底之间低压源,所述低压源形成所述用于可释放地附着装置的至少一部分。

9.如权利要求1-4中任何一个所述的光刻投射装置,其中,在装载位置,所述遮光构件具有与面对所述最终元件的所述基底表面大致共面的主表面。

10.如权利要求1-4中任何一个所述的光刻投射装置,其中所述遮光构件包括用于导引所述遮光构件的标记。

11.如权利要求10所述的光刻投射装置,还包括利用所述标记测量所述遮光构件位置的传感器。

12.如权利要求1-4中任何一个所述的光刻投射装置,其中液体供给系统包括沿最终元件与基底台之间的所述空间的至少一部分边界延伸的密封构件,并且当所述遮光构件限制所述液体时,所述遮光构件定位于所述密封构件中。

13.如权利要求1-4中任何一个所述的光刻投射装置,其中所述液体供给系统包括将液体从所述空间清除的装置,以及在所述空间中提供冲洗气体的气体入口。

14.如权利要求1所述的光刻投射装置,其中在所述投射系统的所述最终元件和所述基底之间只有液体。

15.一种器件制造方法,包括以下步骤:

提供一至少部分覆盖一层辐射敏感材料的基底;

利用辐射系统提供辐射投射光束;

利用构图部件来使投射光束的横截面具有图案;

提供至少部分填充由投射系统的最终元件的表面与基底的表面限定的空间的浸没液体;

使用所述投射系统将带图案的辐射光束投射在所述辐射敏感材料层的靶部上;

将所述基底从投射系统下移开;

其中,在所述基底从所述投射系统下移开后,保持所述最终元件的表面与液体的接触;

其中通过在所述液体供给系统与所述投射系统相对的一侧上设置遮光构件,保持所述最终元件与所述浸没液体接触,这样,所述浸没液体限制在所述液体供给系统中以及限制在所述投射系统与所述遮光构件之间。

16.如权利要求15所述的方法,其中在提供液体到所述空间中时,在所述投射系统的所述最终元件和所述基底之间只有液体。

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