[发明专利]液晶显示器、薄膜晶体管基底及改进显示品质的方法

说明书

本申请要求于2008年3月25日提交的第10-2008-0027419号韩国专利申 请的优先权，通过引用将该申请的内容全部包含于此。

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管(TFT)基底、一种液晶显示器(LCD)及 其方法，更具体地说，涉及一种具有改进的显示品质的LCD和一种改进LCD 的显示品质的方法。

背景技术

现在，液晶显示器(LCD)作为一种平板显示器被广泛地使用。LCD包 括两个显示面板，例如像素电极和共电极的场产生电极形成在所述两个显示 面板上，并且液晶层置于这两个面板之间。在LCD中，电压被施加到场产生 电极，从而在液晶层中产生电场，液晶层的液晶分子的取向通过电场来确定。 然后，控制入射光的偏振，从而执行图像显示。

在LCD中，垂直取向(VA)模式的LCD因为具有大对比度和宽参考视 角而被采用，在VA模式的LCD中，在没有施加电场的情况下，液晶分子的 主指向矢垂直于上下显示面板。然而，VA模式的LCD的问题在于：侧面可 见度比正面可见度低。为了解决这个问题，提出了将一个像素划分为一对子 像素的方法，从而在独立的子像素中形成开关元件，并且将不同的电压施加 到所述子像素。

然而，在根据现有技术的这种LCD中，因为位于数据线上方的液晶的运 动由于像素电极之间的电场而不能被精确地控制，所以，发生漏光，这导致 LCD显示特性劣化。

此外，在具有上述结构的LCD中，当被施加相对较高的数据电压的子像 素电极和位于所述子像素的两侧上的一对数据线之间的耦合电容不一致时， 显示特性劣化。

发明内容

本发明提供一种能够改进显示品质的液晶显示器(LCD)。由于第一数据 布线与第二数据布线叠置，使得在像素电极之间的面积减小，因此可增大LCD 的开口率，通过增大开口率可改进显示品质。

本发明还提供一种改进LCD的显示品质的方法。

根据本发明的示例性实施例，一种LCD包括：第一绝缘基底；栅极布线， 形成在第一绝缘基底上，并且沿着第一方向延伸；数据布线，与栅极布线绝 缘并且与栅极布线交叉，并且数据布线沿着第二方向延伸；像素电极，每个 像素电极包括第一子像素电极和第二子像素电极，第一子像素电极和第二子 像素电极被分别施加有来自于数据布线供应不同数据电压，其中，第一数据 布线的至少一部分与第二数据布线叠置。

根据本发明的另一示例性实施例，一种薄膜晶体管(TFT)包括：栅极 布线和数据布线，其中，数据布线与栅极布线绝缘并在绝缘基底上与栅极布 线交叉；一对第一和第二薄膜晶体管(TFT)，连接到栅极布线和数据布线； 第一子像素电极，连接到第一TFT；第二子像素电极，围绕第一子像素电极， 第二子像素电极与第一子像素电极分开一定间隙，第二子像素电极连接到第 二TFT；第一存储线，与第一子像素电极叠置，并且接收第一存储电压；第 二存储线，与第二子像素电极叠置，并且接收与第一存储电压不同的第二存 储电压。其中，第一数据布线的至少一部分与第二数据布线叠置。

根据本发明的另一示例性实施例，一种改进具有像素区域矩阵的LCD的 显示品质的方法包括：在绝缘基底上形成栅极布线，栅极布线基本上沿着第 一方向延伸；形成与栅极布线绝缘的第一数据布线和第二数据布线，所述数 据布线基本上沿着第二方向延伸，第二方向基本上垂直于第一方向，并且第 一数据布线的至少一部分与第二数据布线叠置；在每个像素区域内形成第一 和第二子像素电极，第一子像素电极连接到第一数据布线，第二子像素电极 与第一子像素电极分开一定间隙，并且第二子像素电极连接到第二数据布线； 形成与第一子像素电极和第二子像素电极中的至少一个叠置的存储线，并且 所述存储线接收第一存储电压。

附图说明

通过参照附图对本发明的示例性实施例进行的详细描述，本发明的上述 和其它特点和优点将会变得更加清楚，其中：

图1是显示根据本发明的示例性实施例的示例性液晶显示器(LCD)的 示例性像素阵列的示意图；

图2是图1的示例性LCD中的一个示例性像素的等效电路图；

图3A是根据本发明的示例性实施例的包括图1的示例性A型像素的示 例性下显示面板的布局图；

图3B是沿图3A中的IIIb-IIIb′线截取的示例性下显示面板的剖视图；