[发明专利]半导体激光器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体激光器装置，其特征在于，

具备：形成在第1导电型半导体基板上的第1半导体激光器元件和第2半导体激光器元件，

所述第1半导体激光器元件具有：从下侧起依次形成在所述半导体基板上的第1第1导电型包层、包含由AlxGal-xAs组成的层的第1活性层、第1第2导电型包层和第1接触层，而且具有形成在端面附近的作为包含第1杂质的区域的第1端面窗构造，

所述第2半导体激光器元件具有：从下侧依起次形成在所述半导体基板上的第2第1导电型包层、包含由(AlyGal-y)zInl-zP组成的层的第2活性层、第2第2导电型包层、和第2接触层，而且具有形成在端面附近的作为包含第2杂质的区域的第2端面窗构造，

所述第1第1导电型包层和第1第2导电型包层至少一方包含In，

所述第1端面窗构造的下端，比所述第1第1导电型包层的下端更靠上侧，

从所述第1活性层的下端至所述第1端面窗构造的下端的距离，比所述第2活性层的下端至所述第2端面窗构造的下端的距离更短，

其中，0≦x≦1，0≦y≦1，0≦z≦1。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述第1端面窗构造的上端，比所述第1第2导电型包层的上端更靠下侧。

3.根据权利要求1或2所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述第2端面窗构造的下端，比所述第2第1导电型包层的下端更靠上侧。

4.根据权利要求1或2所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述第2半导体激光器元件，具有形成在所述半导体基板与所述第2第1导电型包层之间的缓冲层，

所述第2活性层，其带隙比所述缓冲层小，

所述第2端面窗构造的下端，到达所述缓冲层。

5.根据权利要求4所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述缓冲层，由(AlyGal-y)zInl-zP或AlxGal-xAs组成，

其中，0≦x≦1，0≦y≦1，0≦z≦1。

6.根据权利要求4所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述缓冲层，是由(AlyGal-y)zInl-zP或AlxGal-xAs组成的多层膜，

所述缓冲层的各层上的Al的组成比，从所述半导体基板侧起，向所述第2第1导电型包层侧依次变大，

其中，0≦x≦1，0≦y≦1，0≦z≦1。

7.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述第1接触层和第2接触层，是由AlxGal-xAs组成的单层膜或多层膜，

所述第1接触层的膜厚，为所述第2接触层的膜厚以上，

其中，0≦x≦1。

8.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述第1接触层和第2接触层，是由AlxGal-xAs组成的单层膜或多层膜，

所述第1接触层的Al组成比，为所述第2接触层的Al组成比以下，其中，0≦x≦1。

9.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述第1第2导电型包层和第2第2导电型包层，是由(AlyGal-y)zInl-zP组成的单层膜或多层膜，

所述第1第2导电型包层的膜厚，为所述第2第2导电型包层的膜厚以下，

其中，0≦y≦1，0≦z≦1。

10.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述第1第2导电型包层和第2第2导电型包层，是由(AlyGal-y)zInl-zP组成的单层膜或多层膜，

所述第1第2导电型包层的Al组成比，为所述第2第2导电型包层的Al组成比以下，其中，0≦y≦1，0≦z≦1。

11.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述第1第2导电型包层和第2第2导电型包层，分别包含第1蚀刻停止层和第2蚀刻停止层，

所述第1蚀刻停止层，是由AlxGal-xAs组成的单层膜或多层膜，

第2蚀刻停止层，是由(AlyGal-y)zInl-zP组成的单层膜或多层膜，

其中，0≦x≦1，0≦y≦1，0≦z≦1。