[发明专利]具有特定孔隙尺寸和/或粒度分布的硅石和它的用途,尤其用于增强聚合物有效

专利信息
申请号: 200810213832.6 申请日: 2002-08-13
公开(公告)号: CN101412515A 公开(公告)日: 2009-04-22
发明(设计)人: R·瓦勒罗;J·埃尔南德兹 申请(专利权)人: 罗狄亚化学公司
主分类号: C01B33/12 分类号: C01B33/12;C08K3/36;C08L21/00;C08L7/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 龙传红
地址: 法国布洛*** 国省代码: 法国;FR
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摘要:
搜索关键词: 具有 特定 孔隙 尺寸 粒度 分布 硅石 用途 尤其 用于 增强 聚合物
【权利要求书】:

1.硅石,特征在于它具有:

-在40和525m2/g之间的CTAB比表面积SCTAB

-在45和550m2/g之间的BET比表面积SBET

-至少0.91的在超声波崩解之后由XDC粒度分析测量的物体的粒度分布宽度Ld((d84-d16)/d50),和

-孔隙容积分布,使得比率V(d5-d50)/V(d5-d100)是至少0.66,

其中V(d5-d50)表示直径在d5和d50之间的孔隙所形成的孔隙容积和V(d5-d100)表示由直径在d5和d100之间的孔隙形成的孔隙容积。

2.根据权利要求1的硅石,特征在于它具有至少0.94在超声波崩解之后由XDC粒度分析测量的物体的粒度分布宽度Ld((d84-d16)/d50)。

3.根据权利要求1和2中任何一项的硅石,特征在于它的比率V(d5-d50)/V(d5-d100)是至少0.68。

4.根据权利要求1和2中一项的硅石,特征在于它具有:

-至少1.04的在超声波崩解之后由XDC粒度分析测量的物体的粒度分布宽度Ld((d84-d16)/d50),和

-孔隙容积分布,使得比率V(d5-d50)/V(d5-d100)是至少0.71。

5.根据权利要求1和2中一项的硅石,特征在于它具有,在超声波崩解后,低于8.5μm的Sympatec中值粒径φ50S

6.根据权利要求1和2中一项的硅石,特征在于它具有,在超声波崩解后,低于8.5μm的Malvern中值粒径Φ50M

7.根据权利要求1和2中一项的硅石,特征在于它具有至少0.0035μm-1.min-1的由α表示的崩解速率,后者是在600瓦特探头的100%功率下在称作脉冲模式的超声波崩解的所述试验中测量的。

8.根据权利要求1和2中的一项的硅石,特征在于它的比率V(d5-d50)/V(d5-d100)是至少0.73。

9.根据权利要求1和2中一项的硅石,特征在于它具有低于60的(Sears值×1000)/(BET比表面积(SBET))比率。

10.根据权利要求1和2中一项的硅石,特征在于它所具有的物体粒度应使得在超声波崩解之后由XDC粒度分析测量的粒度分布的众数满足以下条件:XDC众数(nm)≥(5320/SCTAB(m2/g))+8。

11.根据权利要求1和2中的一项的硅石,特征在于它具有至少1.35cm3/g的由3.7-80nm直径的孔隙形成的孔隙容积V80

12.根据权利要求1和2中的一项的硅石,特征在于它具有:

-在60和330m2/g之间的CTAB比表面积SCTAB

-在70和350m2/g之间的BET比表面积SBET

13.根据权利要求1和2中的一项的硅石,特征在于它具有90-230m2/g的CTAB比表面积SCTAB

14.根据权利要求1和2中的一项的硅石,特征在于它具有110-270m2/g的BET比表面积SBET

15.根据权利要求1和2中的一项的硅石,特征在于(SBET-SCTAB)≥5m2/g。

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