[发明专利]具有特定孔隙尺寸和/或粒度分布的硅石和它的用途,尤其用于增强聚合物有效
申请号: | 200810213832.6 | 申请日: | 2002-08-13 |
公开(公告)号: | CN101412515A | 公开(公告)日: | 2009-04-22 |
发明(设计)人: | R·瓦勒罗;J·埃尔南德兹 | 申请(专利权)人: | 罗狄亚化学公司 |
主分类号: | C01B33/12 | 分类号: | C01B33/12;C08K3/36;C08L21/00;C08L7/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 龙传红 |
地址: | 法国布洛*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 特定 孔隙 尺寸 粒度 分布 硅石 用途 尤其 用于 增强 聚合物 | ||
1.硅石,特征在于它具有:
-在40和525m2/g之间的CTAB比表面积SCTAB;
-在45和550m2/g之间的BET比表面积SBET;
-至少0.91的在超声波崩解之后由XDC粒度分析测量的物体的粒度分布宽度Ld((d84-d16)/d50),和
-孔隙容积分布,使得比率V(d5-d50)/V(d5-d100)是至少0.66,
其中V(d5-d50)表示直径在d5和d50之间的孔隙所形成的孔隙容积和V(d5-d100)表示由直径在d5和d100之间的孔隙形成的孔隙容积。
2.根据权利要求1的硅石,特征在于它具有至少0.94在超声波崩解之后由XDC粒度分析测量的物体的粒度分布宽度Ld((d84-d16)/d50)。
3.根据权利要求1和2中任何一项的硅石,特征在于它的比率V(d5-d50)/V(d5-d100)是至少0.68。
4.根据权利要求1和2中一项的硅石,特征在于它具有:
-至少1.04的在超声波崩解之后由XDC粒度分析测量的物体的粒度分布宽度Ld((d84-d16)/d50),和
-孔隙容积分布,使得比率V(d5-d50)/V(d5-d100)是至少0.71。
5.根据权利要求1和2中一项的硅石,特征在于它具有,在超声波崩解后,低于8.5μm的Sympatec中值粒径φ50S。
6.根据权利要求1和2中一项的硅石,特征在于它具有,在超声波崩解后,低于8.5μm的Malvern中值粒径Φ50M。
7.根据权利要求1和2中一项的硅石,特征在于它具有至少0.0035μm-1.min-1的由α表示的崩解速率,后者是在600瓦特探头的100%功率下在称作脉冲模式的超声波崩解的所述试验中测量的。
8.根据权利要求1和2中的一项的硅石,特征在于它的比率V(d5-d50)/V(d5-d100)是至少0.73。
9.根据权利要求1和2中一项的硅石,特征在于它具有低于60的(Sears值×1000)/(BET比表面积(SBET))比率。
10.根据权利要求1和2中一项的硅石,特征在于它所具有的物体粒度应使得在超声波崩解之后由XDC粒度分析测量的粒度分布的众数满足以下条件:XDC众数(nm)≥(5320/SCTAB(m2/g))+8。
11.根据权利要求1和2中的一项的硅石,特征在于它具有至少1.35cm3/g的由3.7-80nm直径的孔隙形成的孔隙容积V80。
12.根据权利要求1和2中的一项的硅石,特征在于它具有:
-在60和330m2/g之间的CTAB比表面积SCTAB;
-在70和350m2/g之间的BET比表面积SBET。
13.根据权利要求1和2中的一项的硅石,特征在于它具有90-230m2/g的CTAB比表面积SCTAB。
14.根据权利要求1和2中的一项的硅石,特征在于它具有110-270m2/g的BET比表面积SBET。
15.根据权利要求1和2中的一项的硅石,特征在于(SBET-SCTAB)≥5m2/g。
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